特許
J-GLOBAL ID:202003015768088480

多結晶シリコン柱

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 恩田 誠 ,  恩田 博宣 ,  本田 淳
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-165538
公開番号(公開出願番号):特開2017-057133
特許番号:特許第6734150号
出願日: 2016年08月26日
公開日(公表日): 2017年03月23日
請求項(抜粋):
【請求項1】 結晶成長方向を有する多結晶シリコン柱であって、 結晶成長方向に沿って成長する複数のシリコン結晶粒を含み、前記結晶成長方向において前記多結晶シリコン柱の前記シリコン結晶粒の平均結晶粒径及び抵抗率が逆に変動する傾向があり、 有効部分を更に含み、前記有効部分の少数キャリア寿命が2.0×10-6秒以上であり、前記多結晶シリコン柱の抵抗率が1.55Ω-cm以上であるか、前記平均結晶粒径が1.0cm以下であるか、酸素含有量が5.5ppma以上である前記有効部分は、底部部分とされ、前記底部部分の平均欠陥面積率が1.5%以下である、前記多結晶シリコン柱。
IPC (1件):
C01B 33/02 ( 200 6.01)
FI (1件):
C01B 33/02 E
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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