特許

J-GLOBAL ID：202003016899258689

不揮発性メモリ装置およびチャレンジ・レスポンス方法

発明者： 吉本 裕平 ,  加藤 佳一
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (3件)： 新居 広守 ,  寺谷 英作 ,  道坂 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-241679
公開番号（公開出願番号）：特開2020-102827
出願日： 2018年12月25日
公開日（公表日）： 2020年07月02日
要約：

【課題】高い耐タンパ性を有する不揮発性メモリ装置を提供する。【解決手段】不揮発性メモリ装置10は、データ生成回路と、再構成処理回路とを備え、データ生成回路は、第1のレスポンスデータを生成した後に、再構成処理回路によって再構成書込みが実行され、かつ、再構成書込みが実行された後に第1の種類のチャレンジデータを再び取得した場合に、第1のレスポンスデータとは異なる第3のレスポンスデータを生成し(PUF登録モード)、第2のレスポンスデータを生成した後に、再構成処理回路によって再構成書込みが実行され、かつ、再構成書込みが実行された後に第2の種類のチャレンジデータを再び取得した場合に、第2のレスポンスデータと同じ第4のレスポンスデータを生成する(恒久PUF登録モード)。【選択図】図19

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリ装置であって、 抵抗変化型の複数のメモリセルで構成されたメモリセルアレイと、 チャレンジデータを取得した場合に、前記メモリセルアレイを用いてレスポンスデータを生成するデータ生成回路と、 前記メモリセルアレイに対して、少なくとも1回以上電圧パルスを印加する再構成書込みを実行する再構成処理回路とを備え、 前記データ生成回路は、 第1の種類のチャレンジデータを取得した場合に、不揮発性メモリ装置ごとに異なる固有の第1のレスポンスデータを生成し、 第2の種類のチャレンジデータを取得した場合に、不揮発性メモリ装置ごとに異なる固有の第2のレスポンスデータを生成し、 前記第1のレスポンスデータを生成した後に、前記再構成処理回路によって前記再構成書込みが実行され、かつ、前記再構成書込みが実行された後に前記第1の種類のチャレンジデータを再び取得した場合に、前記第1のレスポンスデータとは異なる第3のレスポンスデータを生成し、 前記第2のレスポンスデータを生成した後に、前記再構成処理回路によって前記再構成書込みが実行され、かつ、前記再構成書込みが実行された後に前記第2の種類のチャレンジデータを再び取得した場合に、前記第2のレスポンスデータと同じ第4のレスポンスデータを生成する、 不揮発性メモリ装置。

IPC (9件)：

H04L 9/32 ,  H04L 9/10 ,  G11C 13/00 ,  G09C 1/00 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  G06F 21/79

FI (9件)：

H04L9/00 675A ,  H04L9/00 621Z ,  G11C13/00 215 ,  G11C13/00 420 ,  G09C1/00 640E ,  H01L27/105 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  G06F21/79

Fターム (12件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA06 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083LA03 ,  5F083LA10 ,  5J104AA07 ,  5J104AA16 ,  5J104EA08 ,  5J104KA02 ,  5J104KA15 ,  5J104NA42

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 不揮発性メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2017-004698   出願人：パナソニックIPマネジメント株式会社
• 耐タンパ性を有する不揮発性メモリ装置、および集積回路カード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-226861   出願人：パナソニックIPマネジメント株式会社