特許
J-GLOBAL ID：201703005726322457
不揮発性メモリ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
新居 広守
, 寺谷 英作
, 道坂 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-004698
公開番号（公開出願番号）：特開2017-216030
出願日： 2017年01月13日
公開日（公表日）： 2017年12月07日
要約：
【課題】低消費で省面積化を実現できるPUFとしての機能を有する不揮発性メモリ装置を提供する。【解決手段】抵抗値の変化を利用してデータを保持可能な抵抗変化型の複数のメモリセル21で構成されるメモリセルアレイ20と、メモリセルアレイ20から、複数のメモリセル21からなるメモリグループの単位で、複数のメモリセル21の各々の抵抗値に依存する放電現象または充電現象に基づいて時間情報を取得する読み出し動作を行う読み出し回路11と、読み出し回路11による読み出し動作によって得られる複数のメモリセル21の時間情報のそれぞれの昇順または降順における順位に基づいて個体識別情報を生成するデータ生成回路25とを備える。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
抵抗値の変化を利用してデータを保持可能な抵抗変化型の複数のメモリセルで構成されるメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイから、複数のメモリセルからなるメモリグループの単位で、前記複数のメモリセルの各々の抵抗値に依存する放電現象または充電現象に基づいて時間情報を取得する読み出し動作を行う読み出し回路と、
前記読み出し回路による読み出し動作によって得られる前記複数のメモリセルの前記時間情報のそれぞれの昇順または降順における順位に基づいて、個体識別情報を生成するデータ生成回路とを備える不揮発性メモリ装置。
IPC (1件)：
FI (3件)：
G11C13/00 420
, G11C13/00 400G
, G11C13/00 400Z
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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