特許
J-GLOBAL ID：202003017820101492
化学機械研磨用水系分散体及びその製造方法、並びに化学機械研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
大渕 美千栄
, 布施 行夫
, 松本 充史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-176079
公開番号（公開出願番号）：特開2020-047832
出願日： 2018年09月20日
公開日（公表日）： 2020年03月26日
要約：
【課題】配線材料等の腐食を抑制しながら、配線材料、絶縁膜材料、及びバリアメタル材料等の複数の材料を含む基板を高速で研磨することができる化学機械研磨用水系分散体及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用水系分散体の製造方法は、第三級アミン化合物が存在する水系媒体中において、シリコンアルコキシドを加水分解・縮合させる工程(I)と、前記工程(I)後に、さらに前記水系媒体にシリコンアルコキシドを滴下して、ゼータ電位が+1mV以上+5mV以下のコロイダルシリカ砥粒を成長させる工程(IV)と、前記工程(IV)後に、前記水系媒体に、アミン化合物と、金属硝酸塩及び金属硫酸塩よりなる群から選択される少なくとも1種と、を添加する工程(V)と、を含む。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
コロイダルシリカ砥粒と、アミン化合物と、金属硝酸塩及び金属硫酸塩よりなる群から選択される少なくとも1種とを含有する化学機械研磨用水系分散体の製造方法であって、
第三級アミン化合物が存在する水系媒体中において、シリコンアルコキシドを加水分解・縮合させる工程(I)と、
前記工程(I)後に、さらに前記水系媒体にシリコンアルコキシドを滴下して、ゼータ電位が+1mV以上+5mV以下のコロイダルシリカ砥粒を成長させる工程(IV)と、
前記工程(IV)後に、前記水系媒体に、アミン化合物と、金属硝酸塩及び金属硫酸塩よりなる群から選択される少なくとも1種と、を添加する工程(V)と、
を含む、化学機械研磨用水系分散体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304
, B24B 37/00
, C09K 3/14
H01L21/304 622D
, H01L21/304 622X
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550D
, C09K3/14 550Z
3C158AA07
, 3C158DA12
, 3C158EB01
, 3C158ED01
, 3C158ED10
, 3C158ED23
, 3C158ED26
, 3C158ED28
, 5F057AA08
, 5F057AA14
, 5F057AA28
, 5F057BA21
, 5F057BB22
, 5F057BB23
, 5F057BB24
, 5F057BB25
, 5F057BB26
, 5F057BB32
, 5F057BB33
, 5F057BB36
, 5F057BB37
, 5F057CA12
, 5F057DA03
, 5F057EA01
, 5F057EA07
, 5F057EA11
, 5F057EA16
, 5F057EA21
, 5F057EA23
, 5F057EA32
