特許

J-GLOBAL ID：202003017867958561

半導体装置

発明者： 人羅 俊実 ,  織田 真也 ,  高塚 章夫
出願人/特許権者： 株式会社FLOSFIA
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-204423
公開番号（公開出願番号）：特開2019-057715
特許番号：特許第6676253号
出願日： 2018年10月30日
公開日（公表日）： 2019年04月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性半導体膜と、該結晶性半導体膜上に配置されたショットキー電極とを有する半導体装置であって、前記酸化物半導体が、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1種または2種以上の酸化物を主成分として含み、前記ショットキー電極が、Al、Mo、Co、Zr、Sn、Nb、Fe、Cr、Ta、Ti、Au、Pt、V、Mn、Ni、Cu、Hf、W、Ir、Zn、In、Pd、Nd、Agもしくはこれらの合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)、ポリアニリン、ポリチオフェンもしくはポリピロ-ル、またはこれらの混合物を含み、前記結晶性半導体膜の膜厚が1μm以上であり、前記半導体装置が、縦型デバイスであることを特徴とする半導体装置。

IPC (18件)：

H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  C30B 29/16 ( 200 6.01) ,  C30B 25/14 ( 200 6.01) ,  H01L 21/365 ( 200 6.01) ,  H01L 21/368 ( 200 6.01) ,  H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 29/24 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01) ,  H01L 33/16 ( 201 0.01) ,  H01L 33/26 ( 201 0.01) ,  H01L 33/36 ( 201 0.01) ,  H01L 33/40 ( 201 0.01)

FI (20件)：

H01L 29/86 301 D ,  C30B 29/16 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/365 ,  H01L 21/368 Z ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/24 ,  H01L 29/86 301 E ,  H01L 29/86 301 F ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/91 K ,  H01L 29/78 652 D ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 A ,  H01L 33/16 ,  H01L 33/26 ,  H01L 33/36 ,  H01L 33/40 ,  H01L 29/86 301 M

引用特許：

出願人引用 (2件)

• Ga2O3系半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-196438   出願人：株式会社タムラ製作所, 独立行政法人情報通信研究機構, 国立大学法人京都大学
• ショットキーバリアダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-245519   出願人：株式会社タムラ製作所