特許
J-GLOBAL ID：201303098836291164

Ga2O3系半導体素子

発明者：
佐々木 公平

佐々木 公平 について

, 
東脇 正高

東脇 正高 について

, 
藤田 静雄

藤田 静雄 について


出願人/特許権者：
株式会社タムラ製作所

株式会社タムラ製作所 について

, 
独立行政法人情報通信研究機構

独立行政法人情報通信研究機構 について

, 
国立大学法人京都大学

国立大学法人京都大学 について


代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-196438
公開番号（公開出願番号）：特開2013-058637
出願日： 2011年09月08日
公開日（公表日）： 2013年03月28日
要約：
【課題】高品質のGa2O3系半導体素子を提供する。【解決手段】一実施の形態として、α-Al2O3基板2上に形成されたα-(AlxGa1-x)2O3単結晶(0≦x<1)からなるp型α-(AlxGa1-x)2O3単結晶膜3と、p型α-(AlxGa1-x)2O3単結晶膜3上に形成されたソース電極12及びドレイン電極13と、p型α-(AlxGa1-x)2O3単結晶膜3中に形成され、ソース電極12及びドレイン電極13にそれぞれ接続されたコンタクト領域14、15と、α-Al2O3基板2のp型α-(AlxGa1-x)2O3単結晶膜3と反対側の面上の、コンタクト領域14とコンタクト領域15との間に形成されたゲート電極11と、を含むGa2O3系FET10を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
α-Al2O3基板上に形成されたα-(AlxGa1-x)2O3単結晶(0≦x<1)からなるα-(AlxGa1-x)2O3単結晶膜と、 前記α-(AlxGa1-x)2O3単結晶膜上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、 前記α-(AlxGa1-x)2O3単結晶膜中に形成され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ接続された第1のコンタクト領域及び第2のコンタクト領域と、 前記α-Al2O3基板の前記α-(AlxGa1-x)2O3単結晶膜と反対側の面上の、前記第1のコンタクト領域と前記第2のコンタクト領域との間に形成されたゲート電極と、 を含むGa2O3系半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/363
FI (5件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 616V ,  H01L21/363
Fターム (36件)：
5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH04 ,  5F103KK04 ,  5F103KK05 ,  5F103KK10 ,  5F103LL07 ,  5F110AA30 ,  5F110CC07 ,  5F110DD04 ,  5F110DD21 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE50 ,  5F110FF01 ,  5F110FF40 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG32 ,  5F110GG35 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ16 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HM02
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM