特許
J-GLOBAL ID：202003018022029592
はんだ接合電極およびはんだ接合電極の被膜形成用錫合金ターゲット
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
特許業務法人篠原国際特許事務所
, 篠原 泰司
, 藤中 雅之
, 鈴木 和弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-128624
公開番号（公開出願番号）：特開2020-007600
出願日： 2018年07月05日
公開日（公表日）： 2020年01月16日
要約：
【課題】銀を主成分とする合金ターゲットを用いたスパッタリング成膜に比べて被膜形成コストを低減でき、かつ、スパッタリング成膜により形成された被膜の下地が露出せず、確実なはんだ接合が得られ、優れたはんだ濡れ性を有する錫合金被膜を有するはんだ接合電極、および、その錫合金被膜を形成することができる、はんだ接合電極の被膜形成用錫合金ターゲットの提供。【解決手段】錫と銀とパラジウムとの合金からなり、錫を主成分とし、銀が4.0質量%以上20質量%以下、パラジウムが0.03質量%以上0.5質量%以下の割合で含有されている錫合金被膜を有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
錫と銀とパラジウムとの合金からなり、錫を主成分とし、銀が4.0質量%以上20質量%以下、パラジウムが0.03質量%以上0.5質量%以下の割合で含有されている錫合金被膜を有することを特徴とするはんだ接合電極。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
4K029AA02
, 4K029AA24
, 4K029BA22
, 4K029BC03
, 4K029CA05
, 4K029DC04
, 4K029DC08
