特許

J-GLOBAL ID：202003018804232001

マスクブランクの製造方法、および転写用マスクの製造方法

発明者： 山口 美穂 ,  福井 亨 ,  鈴木 寿幸
出願人/特許権者： HOYA株式会社
代理人 (3件)： 永田 豊 ,  大島 孝文 ,  太田 司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-085161
公開番号（公開出願番号）：特開2017-194588
特許番号：特許第6713336号
出願日： 2016年04月21日
公開日（公表日）： 2017年10月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ガラス基板上に、パターン形成用薄膜と、ケイ素を含有する材料からなるハードマスク膜とが、この順に設けられたマスクブランクを準備する工程と、 前記ハードマスク膜の表面に対し、前記ハードマスク膜の表面に存在するOH基の面内分布の均一性を高める処理を行う面内均一化工程と、 前記面内均一化工程後の前記ハードマスク膜の表面に対し、シラン系カップリング剤による表面処理を行う工程と を有し、 前記ハードマスク膜はSiON膜からなり、 前記面内均一化工程は、前記ハードマスク膜の表面に存在するOH基の数を増加させる処理であり、 前記面内均一化工程は、前記ハードマスク膜が前記ガラス基板上に形成されてから、熱処理されずに行われ、 前記面内均一化工程は、前記パターン形成用薄膜の表面に対してアルカリ性水溶液を接触させる処理を含む工程であり、前記アルカリ性水溶液は、前記パターン形成用薄膜の表面に、滴下、液盛りされることを特徴とするマスクブランクの製造方法。

IPC (4件)：

G03F 1/82 ( 201 2.01) ,  B05D 7/00 ( 200 6.01) ,  B05D 3/10 ( 200 6.01) ,  C03C 17/34 ( 200 6.01)

FI (4件)：

G03F 1/82 ,  B05D 7/00 E ,  B05D 3/10 H ,  C03C 17/34 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• フォトマスクブランクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-164976   出願人：信越化学工業株式会社
• 特開昭62-247523
  
• フォトマスクブランクおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-164960   出願人：信越化学工業株式会社
• マスクブランク及び転写用マスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-004485   出願人：HOYA株式会社