特許
J-GLOBAL ID：201603008964116530
フォトマスクブランクおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-164960
公開番号（公開出願番号）：特開2016-035546
出願日： 2014年08月13日
公開日（公表日）： 2016年03月17日
要約：
【課題】珪素を含有する無機膜にシリル化処理を施してからレジスト膜を形成するフォトマスクブランクに関し、現像後、レジスト残渣などによる欠陥の発生を抑制することができるフォトマスクブランクおよびその製造方法を提供する。【解決手段】透明基板上に、少なくとも、珪素を含有する珪素含有無機膜を有し、該珪素含有無機膜上にレジスト膜を有するフォトマスクブランクの製造方法あって、前記レジスト膜と接することになる表面における酸素濃度が55原子%以上75原子%以下の前記珪素含有無機膜を形成した後、シリル化処理を行い、その後、塗布により前記レジスト膜を形成するフォトマスクブランクの製造方法。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
透明基板上に、少なくとも、珪素を含有する珪素含有無機膜を有し、該珪素含有無機膜上にレジスト膜を有するフォトマスクブランクの製造方法であって、
前記レジスト膜と接することになる表面における酸素濃度が55原子%以上75原子%以下の前記珪素含有無機膜を形成した後、シリル化処理を行い、その後、塗布により前記レジスト膜を形成することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
2H095BB27
, 2H095BC22
, 2H095BC24
, 2H195BB27
, 2H195BC22
, 2H195BC24
