特許
J-GLOBAL ID：202003019596353645
半導体積層物の観察方法、観察装置、観察プログラム、および、半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
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代理人 (2件)：
福岡 昌浩
, 橘高 英郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-166156
公開番号（公開出願番号）：特開2018-032829
特許番号：特許第6763540号
出願日： 2016年08月26日
公開日（公表日）： 2018年03月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型を有する第1半導体層、および、前記第1半導体層の上方に成長され、第2導電型を有し、前記第1半導体層とpn接合を構成する第2半導体層を有する半導体積層物と、
前記第1半導体層上に配置された第1電極と、
前記第2半導体層上に配置された第2電極と、
を有し、前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方は、光透過電極である、構造体について、
前記第2半導体層の第2電極との界面を構成する表面のモホロジを取得する工程と、
前記第1電極と前記第2電極との間への順方向電圧印加により前記pn接合から放出されたエレクトロルミネッセンス光の強度の面内分布を取得する工程と、
前記モホロジと前記エレクトロルミネッセンス光の強度の面内分布とを比較する工程と、
を有し、
前記モホロジを取得する工程は、前記表面に照射された観察光を、前記光透過電極を介して顕微鏡に入射させ、前記顕微鏡により前記モホロジを観察することで、前記モホロジに対応するデータを取得する工程を含み、
前記エレクトロルミネッセンス光の強度の面内分布を取得する工程は、前記エレクトロルミネッセンス光を、前記光透過電極を介して顕微エレクトロルミネッセンスマッピング装置に入射させ、前記顕微エレクトロルミネッセンスマッピング装置により前記エレクトロルミネッセンス光を観察することで、前記エレクトロルミネッセンス光の強度の面内分布に対応するデータを取得する工程を含む、
半導体積層物の観察方法。
IPC (8件)：
H01L 21/66 ( 200 6.01)
, G01N 21/66 ( 200 6.01)
, H01L 29/861 ( 200 6.01)
, H01L 29/868 ( 200 6.01)
, H01L 29/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/329 ( 200 6.01)
, H01L 33/42 ( 201 0.01)
, H01L 33/00 ( 201 0.01)
H01L 21/66 L
, G01N 21/66
, H01L 29/91 F
, H01L 29/91 C
, H01L 29/20
, H01L 29/91 A
, H01L 33/42
, H01L 33/00 K
