特許

J-GLOBAL ID：202003019696229550

成膜方法及び成膜装置

発明者： 渡部 武紀 ,  橋上 洋 ,  川原村 敏幸
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  高知県公立大学法人
代理人 (2件)： 好宮 幹夫 ,  小林 俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-023983
公開番号（公開出願番号）：特開2020-132905
出願日： 2019年02月13日
公開日（公表日）： 2020年08月31日
要約：

【課題】 成膜速度に優れた成膜方法及び成膜装置を提供することを目的とする。【解決手段】 成膜部でミストを熱処理して成膜を行う成膜方法であって、ミスト化部において、原料溶液をミスト化してミストを発生させる工程と、水分を含んだキャリアガスを生成する工程と、前記ミスト化部と前記成膜部とを接続する搬送部を介して、前記ミスト化部から前記成膜部へと、前記ミストを前記水分を含んだキャリアガスにより搬送する工程と、前記成膜部において、前記ミストを熱処理して基体上に成膜を行う工程とを含む成膜方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

成膜部でミストを熱処理して成膜を行う成膜方法であって、 ミスト化部において、原料溶液をミスト化してミストを発生させる工程と、 水分を含んだキャリアガスを生成する工程と、 前記ミスト化部と前記成膜部とを接続する搬送部を介して、前記ミスト化部から前記成膜部へと、前記ミストを前記水分を含んだキャリアガスにより搬送する工程と、 前記成膜部において、前記ミストを熱処理して基体上に成膜を行う工程とを含むことを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

C23C 16/448 ,  C23C 18/12 ,  H01L 21/368

FI (3件)：

C23C16/448 ,  C23C18/12 ,  H01L21/368 Z

Fターム (35件)：

4K022AA02 ,  4K022AA03 ,  4K022AA04 ,  4K022AA15 ,  4K022AA17 ,  4K022BA33 ,  4K022DA06 ,  4K022DB19 ,  4K030AA02 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA08 ,  4K030BA42 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030JA18 ,  4K030LA12 ,  5F045AB40 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045DP03 ,  5F045EK06 ,  5F053AA50 ,  5F053DD20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 基板加熱処理方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-210692   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-164748   出願人：公立大学法人高知工科大学