特許
J-GLOBAL ID：202003020057407918
エッチング方法及びエッチング装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-193198
公開番号（公開出願番号）：特開2018-056465
特許番号：特許第6782140号
出願日： 2016年09月30日
公開日（公表日）： 2018年04月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン酸化膜が形成された基板をエッチングするエッチング方法において、
前記基板を収容する処理室内を減圧状態にする減圧工程と、
前記減圧工程の後、フッ化水素を含むエッチングガスを前記処理室内に供給して前記基板に形成されたシリコン酸化膜をエッチングするエッチング工程と、
前記エッチング工程の後、水蒸気を前記処理室内に供給して前記基板を洗浄する洗浄工程と、
前記減圧工程の後、前記エッチング工程の前に、前記処理室内に水蒸気を供給して前記基板の表面に水膜を形成する水膜形成工程とを有することを特徴とする基板のエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302 ( 200 6.01)
, H01L 21/304 ( 200 6.01)
H01L 21/302 201 A
, H01L 21/304 645 B
, H01L 21/304 645 Z
