特許
J-GLOBAL ID：202003020145850635

シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法

発明者：
大戸 貴史

大戸 貴史 について

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江里口 和隆

江里口 和隆 について

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三次 伯知

三次 伯知 について

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佐俣 秀一

佐俣 秀一 について


出願人/特許権者：
株式会社SUMCO

株式会社SUMCO について


代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-164532
特許番号：特許第6645545号
出願日： 2018年09月03日
要約：
【課題】シリコン試料の炭素濃度を評価するための新たな方法を提供すること。 【解決手段】評価対象シリコン試料に水素原子を導入すること、上記水素原子が導入された評価対象シリコン試料を、シリコンのバンドギャップ中のトラップ準位を評価する評価法による評価に付すこと、および上記評価により得られた評価結果の中で、Ec-0.10eV、Ec-0.13eVおよびEc-0.15eVからなる群から選ばれる少なくとも1つのトラップ準位の密度に関する評価結果に基づき、上記評価対象シリコン試料の炭素濃度を評価することを含み、上記水素原子の導入を評価対象シリコン試料を溶液と接触させることにより行い、かつ上記溶液はモル比(HNO3/(HNO3+HF))が0.72以上0.82以下の範囲または0.87以上0.91以下の範囲のフッ硝酸であるシリコン試料の炭素濃度評価方法。 【選択図】なし
請求項（抜粋）：
【請求項1】評価対象シリコン試料に水素原子を導入すること、 前記水素原子が導入された評価対象シリコン試料を、シリコンのバンドギャップ中のトラップ準位を評価する評価法による評価に付すこと、および 前記評価により得られた評価結果の中で、Ec-0.10eV、Ec-0.13eVおよびEc-0.15eVからなる群から選ばれる少なくとも1つのトラップ準位の密度に関する評価結果に基づき、前記評価対象シリコン試料の炭素濃度を評価すること、 を含み、 前記水素原子の導入を、評価対象シリコン試料を溶液と接触させることにより行い、かつ 前記溶液は、モル比(HNO3/(HNO3+HF))が0.72以上0.82以下の範囲または0.87以上0.91以下の範囲のフッ硝酸である、シリコン試料の炭素濃度評価方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66 ( 200 6.01) ,  C30B 29/06 ( 200 6.01) ,  C30B 15/00 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/66 N ,  C30B 29/06 A ,  C30B 15/00 Z
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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