特許
J-GLOBAL ID：201803018080513765
シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法、シリコン単結晶インゴットの製造方法、シリコン単結晶インゴット、およびシリコンウェーハ
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-141088
公開番号（公開出願番号）：特開2018-014343
出願日： 2016年07月19日
公開日（公表日）： 2018年01月25日
要約：
【課題】シリコン試料の炭素濃度を評価するための新たな方法を提供すること。【解決手段】評価対象シリコン試料の表面の少なくとも一部に酸化膜を形成すること、上記酸化膜の表面に粒子線を照射すること、上記粒子線が照射された酸化膜の表面にシリコンのバンドギャップより大きなエネルギーを有する励起光を照射すること、上記励起光が照射された評価対象シリコン試料から発光されるフォトルミネッセンスの強度を測定すること、および、測定されたフォトルミネッセンスの強度に基づき、評価対象シリコン試料の炭素濃度を評価することを含み、上記フォトルミネッセンスは、シリコンのバンド端発光であるシリコン試料の炭素濃度評価方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
評価対象シリコン試料の表面の少なくとも一部に酸化膜を形成すること、
前記酸化膜の表面に粒子線を照射すること、
前記粒子線が照射された酸化膜の表面にシリコンのバンドギャップより大きなエネルギーを有する励起光を照射すること、
前記励起光が照射された評価対象シリコン試料から発光されるフォトルミネッセンスの強度を測定すること、および、
測定されたフォトルミネッセンスの強度に基づき、前記評価対象シリコン試料の炭素濃度を評価すること、
を含み、
前記フォトルミネッセンスは、シリコンのバンド端発光である、シリコン試料の炭素濃度評価方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106BA04
, 4M106CA18
, 4M106CB01
