特許
J-GLOBAL ID：202003020323116851
III-V族化合物半導体を生成する微生物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人前田特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-149009
公開番号（公開出願番号）：特開2020-022400
出願日： 2018年08月08日
公開日（公表日）： 2020年02月13日
要約：
【課題】微生物によりIII-V族化合物半導体を生成できるようにする。【解決手段】III-V族化合物半導体の生成方法は、それぞれ1種類のIII族元素を含みヒ素を含まない複数の培地及びヒ素を含みIII族元素を含まない培地を用いてスクリーニングする、1次スクリーニングと、1次スクリーニングにより選定した1次スクリーニング株を、1種類以上のIII族元素及びヒ素を含む培地を用いてスクリーニングする、2次スクリーニングとにより得られたMarichromatium属微生物を用いる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族元素とヒ素とを含む培地を用いて培養することにより、III-V族化合物半導体を生成する、Marichromatium属微生物。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
4B064AA01
, 4B064CA02
, 4B064CD01
, 4B065AA01X
, 4B065CA01
