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J-GLOBAL ID：201702259429993304   整理番号：17A1223640

過酷環境用途向けの4H-SiCにおける従来型バイポーラロジック技術のシミュレーション

Simulation of conventional bipolar logic technologies in 4H-SiC for harsh environment applications

著者 (3件)： ELGABRA Hazem (Khalifa Univ. Sci., Technol. and Res., Abu Dhabi, ARE) ,  SIDDIQUI Amna (Khalifa Univ. Sci., Technol. and Res., Abu Dhabi, ARE) ,  SINGH Shakti (Khalifa Univ. Sci., Technol. and Res., Abu Dhabi, ARE)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 4S  ページ： 04ER08.1-04ER08.4  発行年： 2016年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素(SiC)は,本質的に高温および放射線などの厳しい環境中での動作が可能なワイドバンドギャップ半導体である。現在,SiCベースのパワーデバイスとセンサ用の制御回路はシリコンベースであり,このような環境におけるシステムの全体効率を制限している。従来の異なる論理技術に基づく4H-SiC集積回路は,過去に,様々な研究グループによって,異なる素子構造を用いて研究されてきた。本論では,広範囲の温度(300~773K)と電源電圧(7~17V)でシミュレーションした4H-SiCの従来型バイポーラロジック技術の徹底的研究を行った。これまでの研究とは異なり,本論では,シミュレーションで同じ素子構造を使用するさまざまな技術を評価し,各ロジック技術の真の長所を強調した。SiCで研究した全てのロジック技術の安定性能は,小規模ロジック用途での4H-SiC ICの可能性を実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 環境 ,  *炭化ケイ素 ,  *論理回路 ,  論理素子 ,  シミュレーション ,  耐熱性 ,  耐放射線性 ,  化合物半導体 ,  半導体素子 ,  センサ ,  制御回路 ,  ケイ素 ,  効率 ,  集積回路 ,  電圧 ,  素子構造 ,  バイポーラ論理回路 ,  過酷環境 ,  電源電圧 ,  ワイドギャップ半導体
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  パワーデバイス ,  ワイドバンドギャップ半導体

分類 (2件)： 論理回路  (NC05070B) ,  塩  (CD01050V)

引用文献 (30件)：

• J. W. Palmour, R. Singh, R. C. Glass, O. Kordina, and C H Carter, Jr.. Proc. Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 1997, p. 25.
• P. G. Neudeck and C. Fazi, IEEE Electron Device Lett. 18, 96 (1997).
• C. M. Johnson, N. G. Wright, M. J. Uren, K. P. Hilton, M Rahimo, D A. Hinchley, A. P. Knights, D. J. Morrison, A. B. Horsfall, S Ortolland, and A. G. O'Neill, Proc. IEE-Circuits Devices Syst. 148, 101 (2001).
• P. G. Neudeck, Inst. Phys. Conf. Ser. 137, 1 (1995).
• J. J. Liou and A. Kager, Proc. IEE-Circuits Devices Syst. 140, 289 (1993).

タイトルに関連する用語 (5件)： 過酷環境 ,  用途 ,  バイポーラ ,  ロジック ,  シミュレーション