特許
J-GLOBAL ID:202003020519857663
電磁波吸収シート及び半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
大森 純一
, 高橋 満
, 日比野 幸信
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-134036
公開番号(公開出願番号):特開2020-013847
出願日: 2018年07月17日
公開日(公表日): 2020年01月23日
要約:
【課題】本発明の目的は、接着性が良好でありながら、より電磁波吸収性に優れた電磁波吸収シート、及びこの電磁波吸収シートが付設された半導体装置を提供することにある。【解決手段】上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る電磁波吸収シートは、半導体チップから放出される電磁波を吸収し、第1表面と、上記第1表面とは反対側の第2表面とを有するノイズ吸収層と、上記第1表面及び上記第2表面の少なくともいずれかに設けられ、上記半導体チップを保護する保護膜を形成するための保護膜形成用フィルムとを具備する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体チップから放出される電磁波を吸収し、第1表面と、前記第1表面とは反対側の第2表面とを有するノイズ吸収層と、
前記第1表面及び前記第2表面の少なくともいずれかに設けられ、前記半導体チップを保護する保護膜を形成するための保護膜形成用フィルムと
を具備する電磁波吸収シート。
IPC (3件):
H01L 23/00
, H05K 9/00
, H01L 21/301
FI (3件):
H01L23/00 C
, H05K9/00 M
, H01L21/78 M
Fターム (13件):
5E321AA23
, 5E321BB21
, 5E321BB41
, 5E321CC16
, 5E321GG05
, 5E321GG11
, 5F063AA04
, 5F063AA18
, 5F063BA20
, 5F063BA43
, 5F063BA45
, 5F063CC33
, 5F063EE29
引用特許:
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