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J-GLOBAL ID：202102216788093958   整理番号：21A0326228

Mist-CVD法によるAl₂O₃絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性

GaN-based MIS-HEMTs with Mist Chemical Vapor Deposited Al₂O₃

著者 (10件)： LOW Rui Shan (福井大 大学院工学研究科) ,  永瀬樹 (福井大 大学院工学研究科) ,  BARATOV Ali (福井大 大学院工学研究科) ,  ASUBAR Joel T. (福井大 大学院工学研究科) ,  徳田博邦 (福井大 大学院工学研究科) ,  葛原正明 (関西学院大 理工) ,  谷田部然治 (熊本大 大学院自然科学研究部) ,  内藤健太 (熊本大 大学院自然科学研究部) ,  本山智洋 (熊本大 大学院自然科学研究部) ,  中村有水 (熊本大 大学院自然科学研究部)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
巻： 120  号： 254(ED2020 1-26)  ページ： 49-52 (WEB ONLY)  発行年： 2020年11月19日 
JST資料番号： U2030A  ISSN： 2432-6380  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,ミスト化学気相成長(mist-CVD)法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有するAl₂O₃アモルファス薄膜の形成例が報告されている。本研究ではmist-CVD法により堆積したAl₂O₃をゲート絶縁膜に採用したAlGaN/GaN MIS-HEMTを作製した。Mist-Al₂O₃ MIS-HEMTはフォワードゲートリーク電流を抑制することができ,SG-HEMTより高い最大ドレイン電流が得られた。さらにmist-Al₂O₃ MISキャパシタを試作し,絶縁膜/AlGaN界面特性の評価を行った。ヒステリシスのない伝達特性と容量-電圧特性が得られ,mist-Al₂O₃/AlGaN界面は良好な特性を有していることが示唆された。(著者抄録)

シソーラス用語： *HEMT ,  *MIS構造 ,  *電気特性 ,  化学蒸着 ,  ミスト ,  窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  酸化アルミニウム ,  絶縁膜 ,  漏れ電流 ,  容量電圧特性 ,  電流電圧特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (6件)：

• M. Kuzuhara, J. T. Asubar, and H. Tokuda, Jpn. J. Appl. Phys. 55,070101(2016).
• Z. Yatabe, J. T. Asubar, and T. Hashizume, J. Phys. D: Appl. Phys. 49, 393001 (2016).
• C. Y. Yan and D. A. Dornfeld, J. Manuf. Sci. Eng. 32 030918 (2010).
• Z. Yatabe, K. Nishiyama, T. Tsuda, K. Nishimura, and Y. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 58, 070905 (2019).
• Y. Hori, C. Mizue1, and T. Hashizume, Jpn. J. Appl. Phys. 49, 080201 (2010).

タイトルに関連する用語 (9件)： MISt ,  CVD法 ,  Al2O3 ,  絶縁膜 ,  AlGaN ,  GaN ,  MIS ,  HEMT ,  電気特性