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J-GLOBAL ID：202102220715126973   整理番号：21A0144169

点欠陥の特性から決定した高純度Si中の空格子点と格子間原子によって媒介された自己拡散の活性化エネルギー

Activation Energies of Self-diffusion Mediated by Vacancies and Interstitials in a High-Purity Si Determined from Properties of Point Defects

著者 (4件)： SUEZAWA Masashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FUKATA Naoki (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  IIJIMA Yoshiaki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YONENAGA Ichiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： JPS Conference Proceedings (Web)  (JPS Conference Proceedings (Web))
巻： 1  ページ： ROMBUNNO.012033 (WEB ONLY)  発行年： 2014年03月26日 
JST資料番号： U1201A  ISSN： 2435-3892  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *自己拡散 ,  空格子点 ,  *ケイ素 ,  高純度物質 ,  *格子間原子 ,  活性化エネルギー ,  エネルギー ,  *点欠陥 ,  拡散係数
準シソーラス用語： 自己拡散係数 ,  生成エネルギー

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： 点欠陥 ,  高純度 ,  Si ,  空格子点 ,  格子間原子 ,  自己拡散 ,  活性化エネルギー