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J-GLOBAL ID：202102220843504367   整理番号：21A0763712

GaAs細線構造におけるスピン緩和の外部磁場方向依存性

Anisotropic spin dephasing on magnetic field orientation in GaAs-based wire structures

著者 (10件)： SONEHARA J. (Tohoku Univ.) ,  SATO D. (Tohoku Univ.) ,  IIZASA D. (Tohoku Univ.) ,  KAMMERMEIER M. (Victoria Univ. of Wellington) ,  ZUELICKE U. (Victoria Univ. of Wellington) ,  KARUBE S. (Tohoku Univ.) ,  NITTA J. (Tohoku Univ.) ,  NITTA J. (CSIS Tohoku Univ.) ,  KOHDA M. (Tohoku Univ.) ,  KOHDA M. (CSIS Tohoku Univ.)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.8p-Z08-6  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

本文一部表示： III-V半導体ヘテロ構造では,RashbaとDresselhausスピン-軌道(SO)相互作用が存在し,移動電子に対する有効磁場を与える。誘起されたSO場は散乱によってランダム化される電子運動量に依存し,D’yakonov-Perelスピ...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： 運動量 ,  相互作用 ,  対称性 ,  半導体 ,  光学的測定 ,  *ヒ化ガリウム ,  結晶方位 ,  スピン分極 ,  金属線 ,  *外部磁場 ,  量子井戸 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  電子ビームリソグラフィー
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *スピン緩和 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  細線 ,  スピン緩和 ,  外部磁場 ,  方向依存性