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J-GLOBAL ID：202102222093708628   整理番号：21A1447958

電力とRF応用のためのGaN FinFETとトリゲートデバイス:レビューと展望【JST・京大機械翻訳】

GaN FinFETs and trigate devices for power and RF applications: review and perspective

著者 (7件)： Zhang Yuhao (Center for Power Electronics Systems, The Bradley Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, VA, United States of America) ,  Zubair Ahmad (Department of Electrical Engineering and Computer Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, United States of America) ,  Liu Zhihong (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, People’s Republic of China) ,  Xiao Ming (Center for Power Electronics Systems, The Bradley Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, VA, United States of America) ,  Perozek Joshua (Department of Electrical Engineering and Computer Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, United States of America) ,  Ma Yunwei (Center for Power Electronics Systems, The Bradley Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, VA, United States of America) ,  Palacios Tomas (Department of Electrical Engineering and Computer Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, United States of America)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 36  号： 5  ページ： 054001 (24pp)  発行年： 2021年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)は,電力と高周波(RF)応用の主流半導体になっている。商用GaNデバイスは,データセンター,電気自動車,消費者エレクトロニクス,テレコム,および防衛アプリケーションでますます採用されているが,その性能は,まだ固有GaN限界から遠い。ここ数年,フィン電界効果トランジスタ(FinFET)とトリゲートアーキテクチャは,マイクロ波と電力エレクトロニクスの分野で最先端技術を連続的に進歩した,GaN電力とRF素子の新世代を開発するために利用されてきた。SiディジタルFinFETデバイスと異なり,GaN FinFETは,二次元電子ガスまたはp-n接合を,横方向および垂直構造の両方でエンジニアリングすることに基づく多数の構造革新を可能にした。これらのフィンベースのGaNデバイスにおける優れたゲート制御性は,より高い電流オン/オフ比,急峻な閾値スイング,および短チャネル効果の抑制を可能にするだけでなく,増強モード動作,オン抵抗低減,電流崩壊緩和,線形性改善,より高い動作周波数,および強化された熱管理も可能にした。いくつかのGaN FinFETとトリゲートデバイス技術は商業化に近い。このレビュー論文は,RFと電力応用のための報告されたGaN FinFETとトリゲートデバイス技術のグローバルな概観を示し,デバイス性能空間にデバイス設計パラメータを相関する詳細な分析を提供する。本論文は,この非常に動的な研究分野における現在の課題と刺激的な研究機会の要約で結論を下した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： PN接合 ,  電流 ,  半導体 ,  マイクロ波 ,  *電力 ,  フィン ,  ケイ素 ,  FET【トランジスタ】 ,  応用プログラム ,  電子技術 ,  *窒化ガリウム ,  パワーエレクトロニクス ,  計算機アーキテクチャ ,  オン抵抗
準シソーラス用語： *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： RF ,  応用 ,  GaN ,  FinFET ,  レビュー ,  展望