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J-GLOBAL ID：202102227503973201   整理番号：21A0003222

インジウムすず酸化物のArイオンビームスパッタリングのための二次イオンのエネルギー分布【JST・京大機械翻訳】

Energy distributions of secondary ions for the Ar ion beam sputtering of indium tin oxide

著者 (2件)： Bundesmann Carsten (Ion Source Development and Applications Group, Leibniz Institute of Surface Engineering (IOM), Permoserstrasse 15, 04318 Leipzig, Germany) ,  Hellmich Anke (Applied Materials GmbH & Co. KG, Siemensstrasse 100, 63755 Alzenau, Germany)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 38  号： 6  ページ： 064002-064002-11  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウムスズ酸化物のArイオンビームスパッタリングのための二次イオンのエネルギー分布を,幾何学的パラメータ(イオン入射角,極性放射角,散乱角),イオンエネルギー,およびO_2バックグラウンド圧力に依存して,エネルギー選択質量分析を用いて測定した。最も一般的なイオン種はO+,O_2+,Ar+,In+,Sn+であった。O+,In+,およびSn+イオンのエネルギー分布は,10から20eVの間の低エネルギー最大値を示し,散乱角がλ>90°の場合,べき乗則減衰が続く。γ<90°ならば,付加的な高エネルギー構造が進化し,異方性効果,すなわち直接スパッタ粒子に割り当てられる。Ar+イオンのエネルギー分布は低エネルギー極大を示し,散乱角に依存して,異方性効果に帰属する2つの付加的高エネルギー構造まで依存した。ここで,それは直接散乱事象に関係する。すべての付加的構造は散乱角とイオンエネルギーとの系統的相関を示した。O_2+イオンのエネルギー分布は低エネルギー極大を示し,次いで突然の信号降下を示した。散乱角またはイオンエネルギーによる変化はほとんどなかった。一般的に,O_2バックグラウンド圧力の増加は,バックグラウンドガス粒子との相互作用によるエネルギー損失による粒子エネルギーの減少をもたらした。実験結果を,弾性2粒子衝突理論に基づく計算,および,SDTrimSPを用いたモンテカルロシミュレーションを用いて比較し,考察した。Copyright 2021 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー損失 ,  散乱 ,  質量分析 ,  相互作用 ,  *アルゴン ,  弾性 ,  *エネルギー分布 ,  *二次イオン ,  *イオンビームスパッタリング ,  *酸化インジウムスズ
準シソーラス用語： 散乱角 ,  モンテカルロシミュレーション ,  べき乗則 ,  低エネルギー ,  イオンエネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： インジウムすず酸化物 ,  Ar ,  イオンビームスパッタリング ,  二次イオン ,  エネルギー分布