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J-GLOBAL ID：202102228548416237   整理番号：21A0233360

不動態化接触のための低圧化学蒸着によるその場リンドープポリSi【JST・京大機械翻訳】

In Situ Phosphorus-Doped Poly-Si by Low Pressure Chemical Vapor Deposition for Passivating Contacts

著者 (6件)： Firat Meric (KU Leuven, imec,Leuven,Belgium) ,  Radhakrishnan Hariharsudan Sivaramakrishnan (imec,Leuven,Belgium) ,  Payo Maria Recaman (KU Leuven,Leuven,Belgium) ,  Duerinckx Filip (imec,Leuven,Belgium) ,  Sharma Rajiv (KU Leuven, imec,Leuven,Belgium) ,  Poortmans Jef (imec, KU Leuven, UHasselt,Leuven,Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： PVSC  ページ： 0160-0163  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低圧化学蒸着(LPCVD)によるin situリン(P)ドープ多結晶シリコン(poly-Si)膜の電位を,ポリSi/SiO_x不動態化接触の実現のために研究した。ex situ法に代わるものとしてポリSiのin situドーピングは,これらの不動態化接触を特徴とする工業用太陽電池のより簡単な製造を可能にする。このアプローチで,1.7fA/cm2と3.5fA/cm2までの再結合電流密度を,それぞれ,鋸損傷除去と組織化Cz-Si表面で達成した。熱SiO_xの使用,ポリSiへの高い活性ドーピング,および水素化が不動態化品質を改善することが分かった。さらに,ポストLPCVDアニーリングも有益であったが,高アニーリング熱収支でのポリSiからのドーパント損失は,比接触抵抗と不動態化品質に有害であり,従って,そのようなドーパント損失を緩和するのに重要である。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 再結合 ,  焼なまし ,  太陽電池 ,  電位 ,  鋸 ,  *不動態化 ,  水素化 ,  熱収支 ,  *ドーピング ,  電流密度 ,  *LPCVD ,  ドーパント ,  *ポリシリコン
準シソーラス用語： 比接触抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 符号理論  (ND02030R) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 不動態化 ,  低圧化学蒸着 ,  Si