Huo Jingyong について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China について
Wang Xiaolin について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China について
Wu Xiaohan について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China について
Liu Wen-Jun について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China について
Ding Shi-Jin について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China について
Semiconductor Science and Technology について
最適化 について
集合組織 について
焼なまし について
正孔 について
薄膜トランジスタ について
分圧 について
反応性スパッタリング について
生産工程 について
電子移動度 について
電界効果移動度 について
アニーリング温度 について
両極性 について
反応性マグネトロンスパッタリング について
ポストアニーリング について
直接バンドギャップ について
固体デバイス製造技術一般 について
トランジスタ について
両極性 について
薄膜トランジスタ について
応用 について
反応性スパッタリング について
調製 について
キャラクタリゼーション について