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J-GLOBAL ID：202102237742039188   整理番号：21A0089110

両極性薄膜トランジスタ応用のための反応性スパッタリングによるSnO膜の調製とキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Preparation and characterization of SnO films via reactive sputtering for ambipolar thin-film transistor applications

著者 (5件)： Huo Jingyong (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China) ,  Wang Xiaolin (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China) ,  Wu Xiaohan (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China) ,  Liu Wen-Jun (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China) ,  Ding Shi-Jin (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 36  号： 2  ページ： 025004 (10pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnO膜を空気中でのポストアニーリングと共に種々のO_2分圧の下で反応性マグネトロンスパッタリングによって調製した。結果は,反応性スパッタリングプロセス中のO_2分圧がSnO膜の組成だけでなく,その集合組織に影響を与えることを示した。10%O_2分圧下で蒸着したSnO膜では,その直接バンドギャップは,250°Cから400°Cへのポストアニーリング温度の上昇で2.49から2.64eVに増加した。上記SnOベースチャネル薄膜トランジスタ(TFTs)は,空気中≧250°Cでポストアニール後,典型的な両極性特徴を示す。300°Cで30分間アニールしたTFTsでは,抽出した正孔と電界効果移動度は,それぞれ1.48cm2V-1s-1と0.21cm2V-1s-1であった。p-およびn-型TFTsの性能は,正孔と電子移動度の間のトレードオフのため,製造プロセスとポストアニーリング条件を最適化することによってさらに改良できた。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  集合組織 ,  焼なまし ,  正孔 ,  *薄膜トランジスタ ,  分圧 ,  *反応性スパッタリング ,  生産工程
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  電界効果移動度 ,  アニーリング温度 ,  両極性 ,  反応性マグネトロンスパッタリング ,  ポストアニーリング ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 両極性 ,  薄膜トランジスタ ,  応用 ,  反応性スパッタリング ,  調製 ,  キャラクタリゼーション