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J-GLOBAL ID：202102238395329058   整理番号：21A0011905

InP/Si基板上に成長させた歪補償層を有する二重キャップInAs量子ドット【JST・京大機械翻訳】

Double capped InAs Quantum Dots with strain compensation layer grown on InP/Si substrate

著者 (9件)： Shirai Takuto (Sophia University,Dept. Engineering and Applied Sciences,Nagareyama,Japan) ,  Han Xu (Sophia University,Dept. Engineering and Applied Sciences,Tokyo,Japan) ,  Ishizaki Takahiro (Sophia University,Dept. Engineering and Applied Sciences,Tokyo,Japan) ,  Tsushima Koki (Sophia University,Dept. Engineering and Applied Sciences,Yokohama,Japan) ,  Matsuura Masaki (Sophia University,Dept. Engineering and Applied Sciences,Tokyo,Japan) ,  Shibukawa Kota (Sophia University,Dept. Engineering and Applied Sciences,Tokyo,Japan) ,  Fujiwara Keita (Sophia University,Dept. Engineering and Applied Sciences,Kawasaki,Japan) ,  Sato Motonari (Sophia University,Dept. Engineering and Applied Sciences,Tokyo,Japan) ,  Shimomura Kazuhiko (Sophia University,Dept. Engineering and Applied Sciences,Tokyo,Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： OECC  ページ： 1-3  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaInAsP第2キャップ層の歪が変化したMOVPEを用いてInPと直接結合したInP/Si基板上にInAs量子ドットを成長させた。歪補償層の格子不整合の差に依存する密度,サイズ及び光学特性を調べた。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  *リン化インジウム ,  MOCVD ,  ヒ化リン化インジウムガリウム ,  格子不整合
準シソーラス用語： キャップ層 ,  *シリコンウエハ ,  *歪補償 ,  *InAs量子ドット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： InP ,  Si基板 ,  成長 ,  歪補償 ,  キャップ ,  InAs量子ドット