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J-GLOBAL ID：202102247495383746   整理番号：21A0004689

低温多結晶シリコントンネル電界効果トランジスタの種々の信頼性研究【JST・京大機械翻訳】

Various Reliability Investigations of Low Temperature Polycrystalline Silicon Tunnel Field-Effect Thin-Film Transistor

著者 (3件)： Ma William Cheng-Yu (Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Hsu Hui-Shun (Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Wang Hsiao-Chun (Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 20  号： 4  ページ： 775-780  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温多結晶シリコン(LTPS)トンネル電界効果トランジスタ(TFET)の種々の信頼性問題を,初めて包括的に研究し,従来のLTPS薄膜トランジスタ(TFT)と比較した。正および負のゲートバイアス応力(P/NGBS)不安定性に対して,NGBSは,NGBS後のより高いトラップ状態発生のため,LTPS-TFETおよびTFTの両方に対して,より重大な電気的劣化を引き起こす。しかし,ソースサイドとドレインサイド領域近くの局所P/NGBSは,LTPS-TFETとTFTに完全に異なる影響を示した。結果は,ソース側局所P/NGBSがLTPS-TFETの全P/NGBS効果を支配し,ドレイン側局所P/NGBS効果が,全P/NGBS効果と比較して,LTPS-TFETの電気的挙動にあまり影響しないことを明らかにした。LTPS-TFTsでは,局所P/NGBS効果は,全P/NGBSよりはるかに低い電気劣化を示した。LTPS-TFETとTFT間の局所P/NGBS効果の違いは,異なるキャリア輸送機構に起因した。P/NGBS効果に加えて,異なるドレイン応力電圧を有するホットキャリア応力(HCS)も,本研究で研究した。ドレイン応力電圧は接合近くの水平電場を導入し,チャネル領域における垂直電場の影響を低減する。LTPS-TFETのHCSでは,ドレイン応力電圧の増加は,垂直電場応力効果の低減をもたらすが,水平電場応力効果は無く,LTPS-TFTの結果とは異なる。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 接合 ,  電圧 ,  電場 ,  *信頼性 ,  薄膜トランジスタ ,  不安定性 ,  ホットキャリア
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  応力効果 ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  ゲートバイアス ,  チャネル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 低温多結晶シリコン ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  研究