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J-GLOBAL ID：202102249692453152   整理番号：21A0015419

不動態化GaAsナノワイヤにおけるファセット関連不均一光ルミネセンス【JST・京大機械翻訳】

Facet-Related Non-uniform Photoluminescence in Passivated GaAs Nanowires

著者 (8件)： Jiang Nian (Electrical Engineering Division, Engineering Department, University of Cambridge, Cambridge, United Kingdom) ,  Joyce Hannah J. (Electrical Engineering Division, Engineering Department, University of Cambridge, Cambridge, United Kingdom) ,  Parkinson Patrick (Department of Physics and Astronomy, The Photon Science Institute, University of Manchester, Manchester, United Kingdom) ,  Wong-Leung Jennifer (Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics, The Australian National University, Canberra, ACT, Australia) ,  Tan Hark Hoe (Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics, The Australian National University, Canberra, ACT, Australia) ,  Tan Hark Hoe (Australian Research Council (ARC) Centre of Excellence for Transformative Meta-Optical Systems, Research School of Physics, The Australian National University, Canberra, ACT, Australia) ,  Jagadish Chennupati (Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics, The Australian National University, Canberra, ACT, Australia) ,  Jagadish Chennupati (Australian Research Council (ARC) Centre of Excellence for Transformative Meta-Optical Systems, Research School of Physics, The Australian National University, Canberra, ACT, Australia)
資料名： Frontiers in Chemistry (Web)  (Frontiers in Chemistry (Web))
巻： 8  ページ： 607481  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7065A  ISSN： 2296-2646  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ナノワイヤ構造は,そのユニークな形状から生じる非平面エレクトロニクスとオプトエレクトロニクスの機会を提供する。この構造は大きな表面積対体積比をもたらし,従ってナノワイヤ表面がナノワイヤオプトエレクトロニック特性に及ぼす影響の理解は工学関連デバイスにとって必要である。側壁ファセット化の変化により導入されたAu触媒GaAs/AlGaAsコア-シェルナノワイヤの不均一光学特性の系統的研究を報告した。ワイヤ内光ルミネセンス(PL)強度とPL寿命(τ_PL)の著しい変化をナノワイヤ軸に沿って観察し,これは基底から先端への{112}から{110}への側壁ファセットの変化に強く相関した。より速い再結合は{112}配向GaAs/AlGaAs界面の近傍で起こった。2つのAlGaAs障壁層間に挟まれたGaAs層から成る放射状量子井戸管である代替ナノワイヤヘテロ構造を提案し,ナノワイヤの全長さに沿ったPL発光の優れた均一性を実証した。結果は,ナノワイヤファセットの重要性を強調し,ナノワイヤデバイス設計に重要な洞察を提供する。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  光学的性質 ,  再結合 ,  発光 ,  *光ルミネセンス ,  *不動態化 ,  *ヒ化ガリウム ,  オプトエレクトロニクス ,  *金属線 ,  *ファセット ,  量子井戸 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  バリア層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ナノワイヤ ,  光ルミネセンス(PL) ,  ナノワイヤ側壁ファセット ,  表面再結合 ,  均一性 ,  GaAs-AlGaAs

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (49件)：

• AlanisJ. A.LysevychM.BurgessT.SaxenaD.MokkapatiS.SkalskyS.. (2019). Optical study of p-doping in GaAs nanowires for low-threshold and high-yield lasing. Nano Lett. 19, 362-368. doi: 10.1021/acs.nanolett.8b0404830525674
• AspnesD. E.KelsoS. M.LoganR. A.BhatR. (1986). Optical properties of AlxGa_1-x As. J. Appl. Phys. 60, 754-767. doi: 10.1063/1.337426
• BolinssonJ.EkM.TrägårdhJ.MergenthalerK.JacobssonD.PistolM. E.. (2014). GaAs/AlGaAs heterostructure nanowires studied by cathodoluminescence. Nano Res. 7, 1-18. doi: 10.1007/s12274-014-0414-2
• ChandN. (1993). Growth of high quality AlGaAs/GaAs heterostructures by molecular beam epitaxy for photonic and electronic device applications. Thin Solid Films 231, 143-157. doi: 10.1016/0040-6090(93)90709-X
• ChangC. C.ChiC. Y.YaoM.HuangN.ChenC. C.TheissJ.. (2012). Electrical and optical characterization of surface passivation in GaAs nanowires. Nano Lett. 12, 4484-4489. doi: 10.1021/nl301391h22889241

タイトルに関連する用語 (6件)： 不動態化 ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  ファセット ,  不均一 ,  光ルミネセンス