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J-GLOBAL ID：202102249750431387   整理番号：21A0013209

先進FinFETのための電力性能信頼性ブースタとしての冷CMOS【JST・京大機械翻訳】

Cold CMOS as a Power-Performance-Reliability Booster for Advanced FinFETs

著者 (15件)： Chiang H. L. (Institute of Electronics, National Chiao-Tung University,Hsinchu,Taiwan,R.O.C.) ,  Chen T. C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Hsinchu,Taiwan,R.O.C.) ,  Wang J. F. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Hsinchu,Taiwan,R.O.C.) ,  Mukhopadhyay S. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Hsinchu,Taiwan,R.O.C.) ,  Lee W. K. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Hsinchu,Taiwan,R.O.C.) ,  Chen C. L. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Hsinchu,Taiwan,R.O.C.) ,  Khwa W.S. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Hsinchu,Taiwan,R.O.C.) ,  Pulicherla B. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Hsinchu,Taiwan,R.O.C.) ,  Liao P. J. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Hsinchu,Taiwan,R.O.C.) ,  Su K. W. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Hsinchu,Taiwan,R.O.C.) ,  Yu K. F. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Hsinchu,Taiwan,R.O.C.) ,  Wang T. (Institute of Electronics, National Chiao-Tung University,Hsinchu,Taiwan,R.O.C.) ,  Wong H.-S. P. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Hsinchu,Taiwan,R.O.C.) ,  Diaz C. H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Hsinchu,Taiwan,R.O.C.) ,  Cai J. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Hsinchu,Taiwan,R.O.C.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： VLSI Technology  ページ： 1-2  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 77Kまでの還元温度での先進FinFETキャラクタリゼーションと回路解析を示した。Stepedサブ閾値勾配は,論理スイッチング速度を犠牲にすることなく,しきい値電圧(V_TH)および電源電圧(V_DD)スケーリングを,ΔΣ0.27×電力低減に対して可能にする。同時V_THスケーリングにより,SRAMは04Vの同じ低いV_DDで動作できる。改善されたゲート誘電体信頼性は,gtの最大V_DEを高めた。単一スレッド性能が必要なとき,70%のスピードブースト。77Kでのより低いCuワイヤ抵抗を利用して,グローバル信号伝搬のための中継器を80%のエネルギー低減のために再設計することができた。低温におけるシリコンの熱伝導率の増加は自己加熱を低減し,さらに電力効率を改善する。冷凍電力を含めると,冷却効率がCarnot限界の50%を超えるとき,正味電力削減を達成できる。nFETとpFETの両方に対する効果的なV_TH低減法を示し,コールドCMOSのための高性能を達成するのに重要である。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 低温 ,  *信頼性 ,  *電力 ,  ケイ素 ,  銅 ,  回路解析 ,  凍結 ,  信号伝送 ,  金属線 ,  スレッド ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *FinFET ,  閾値電圧 ,  自己加熱 ,  電源電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： FinFET ,  ブースタ ,  CMOS