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J-GLOBAL ID：202102250279261684   整理番号：21A3314327

エッチング法による主流貫通シリコンに関するレビュー【JST・京大機械翻訳】

A review on the mainstream through-silicon via etching methods

著者 (4件)： Guo Haoming (School of Materials Science, Shanghai Dianji University, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Cao Shengbin (School of Materials Science, Shanghai Dianji University, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Li Lei (School of Materials Science, Shanghai Dianji University, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Zhang Xiaofeng (School of Mechanical Engineering, Shanghai Dianji University, Shanghai, People’s Republic of China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 137  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在,3D統合は,チップ産業にとって最も有望な開発方向であると考えられている。それは,垂直方向における機械的および電気的相互接続を達成するために,スルーシリコン(TSV)構造に依存する。TSVの製造は通常エッチング技術によって達成され,それは,物理的または化学的に特定の領域から材料を除去することによって,高いアスペクト比の穴を製造できる。現在,主流TSV製造法はKOH湿式エッチング,レーザ穴あけ,深反応性イオンエッチングおよび光支援電気化学エッチングを含む。しかし,それらの特性の横断的比較は文献において不足していた。本レビューは,4種類の主流TSVエッチング法,すなわち,KOH湿式エッチング,レーザ穴あけ,深反応性イオンエッチング,およびエッチング機構,プロセス,パラメータ,および正孔構造を含む光支援電気化学エッチングの包括的な要約を提供することを目的とする。最後に,本論文は,TSVエッチングのための4つの方法をまとめて,展望して,これらの4つの主流TSVエッチング方法のための原理と応用の広範囲で最新の理解を有する研究者と技術者を提供した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  正孔 ,  *ケイ素 ,  アスペクト比 ,  相互接続 ,  三次元 ,  RIE【エッチング】 ,  レーザ穴あけ ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： シリコン貫通ビア ,  電気化学エッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： スルーシリコンビア(TSV) ,  エッチング法 ,  ウェットエッチング ,  レーザ掘削 ,  DRIE

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： エッチング ,  シリコン ,  レビュー