文献

J-GLOBAL ID：202102255997813625   整理番号：21A1948844

面積配列グラフェンナノリボンベース歪センサ【JST・京大機械翻訳】

Area-Arrayed Graphene Nano-Ribbon-Base Strain Sensor

著者 (3件)： Nakagawa Ryohei (Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Wang Zhi (Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Suzuki Ken (Tohoku University, Sendai, Japan)
資料名： ASME Conference Proceedings  (ASME Conference Proceedings)
号： IMECE2018  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： A0478C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高感度かつ大きな変形性を示す歪センサを用いた健康モニタリング装置は,より少ない子供による社会のさらなる加齢により強く要求されている。しかし,金属歪ゲージと半導体歪センサのような従来の歪センサは,それらの低い感度と変形性のため,健康モニタリングには適用できない。本研究では,次世代の歪センサを作製するために,領域配列グラフェンナノリボン(GNR)歪分離器の基本設計を提案した。センサは,応力集中部と応力検出部である2つの部分で構成された。この構造はGNRの特性を十分に活用できる。さらに,センサにおける重要なプロセスの一つである高品質GNR製造プロセスを,CVD(化学蒸着)法を適用して開発した。トップダウンアプローチを適用してGNRを作製した。最初に,高品質グラフェンシートを合成するために,閉じたCu箔を用いたアセチレン系LPCVD(低圧化学蒸着)を採用した。その後,グラフェンをシリコン基板に移し,品質を評価した。高品質グラフェンをソフトPDMS基板上に移動させ,MEMS技術を適用して金属電極を作製した。応力-濃度セクションとしてハードPDMSを用いて,領域配列微細ピン構造を作製した。最後に,両断面を集積して,高感度かつ大きな変形可能圧力センサを形成した。GNRベースセンサの歪感度も評価した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 応力集中 ,  半導体 ,  監視装置 ,  子供 ,  化学蒸着 ,  センサ ,  LPCVD ,  生産工程 ,  MEMS ,  銅箔 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  高品質 ,  金属電極 ,  *グラフェンナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 面積 ,  グラフェンナノリボン ,  歪センサ