数層MoS_2における局在共鳴状態間のゲート調整可能な量子ドット形成【JST・京大機械翻訳】

Kim Bum-Kyu; Choi Dong-Hwan; Choi Dong-Hwan; Yu Byung-Sung; Yu Byung-Sung; Kim Minsoo; Watanabe Kenji; Taniguchi Takashi; Kim Ju-Jin; Bae Myung-Ho; Bae Myung-Ho

文献

J-GLOBAL ID：202102261840430096 整理番号：21A0796685

数層MoS_2における局在共鳴状態間のゲート調整可能な量子ドット形成【JST・京大機械翻訳】

Gate-tunable quantum dot formation between localized-resonant states in a few-layer MoS₂

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資料名：

Nanotechnology (Nanotechnology)

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巻： 32 号： 19 ページ： 195207 (8pp) 発行年： 2021年
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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数層MoS_2で定義された2つのポテンシャル障壁間に位置するゲート同調量子ドット(QD)を示した。ポテンシャル障壁を調整するのに用いた局所ゲートは,無秩序誘起QDを持つが,ゲート同調QDの証拠として,電極のFermi準位と無秩序誘起QDのエネルギー準位の整列により形成された電流共鳴島における対角電流ストライプを観測した。設計したQDの充電エネルギーは1Vにおける局所ゲート電圧を変えることによって2~6meVの範囲で調整できることを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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