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J-GLOBAL ID：202102265938074088   整理番号：21A2171968

グラフェンナノリボントランジスタの集積を可能にする高度に整列した高分子ナノワイヤエッチマスクリソグラフィー【JST・京大機械翻訳】

Highly Aligned Polymeric Nanowire Etch-Mask Lithography Enabling the Integration of Graphene Nanoribbon Transistors

著者 (6件)： Jeon Sangheon (Department of Cogno-Mechatronics Engineering, Department of Optics and Mechatronics Engineering, College of Nanoscience and Nanotechnology, Pusan National University, Busan 46241, Korea) ,  Han Pyunghwa (Research Center for S-T/F, Samsung Electro-Mechanics, Busan 46754, Korea) ,  Jeong Jeonghwa (Department of Cogno-Mechatronics Engineering, Department of Optics and Mechatronics Engineering, College of Nanoscience and Nanotechnology, Pusan National University, Busan 46241, Korea) ,  Hwang Wan Sik (Department of Materials Engineering, Korea Aerospace University, Goyang 10540, Korea) ,  Hwang Wan Sik (Smart Drone Convergence, Korea Aerospace University, Goyang 10540, Korea) ,  Hong Suck Won (Department of Cogno-Mechatronics Engineering, Department of Optics and Mechatronics Engineering, College of Nanoscience and Nanotechnology, Pusan National University, Busan 46241, Korea)
資料名： Nanomaterials (Web)  (Nanomaterials (Web))
巻： 11  号： 1  ページ： 33  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7252A  ISSN： 2079-4991  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンナノリボンは,室温で2次元グラフェンのゼロバンドギャップに関連した限界を克服するユニークな性質のため,ナノ材料の非常に興味深い形である。したがって,グラフェンナノリボンの作製は,高性能電界効果トランジスタを構築するための多くの注目を集めている。従って,以前に報告された種々の方法論は,高度に規則化したグラフェンナノリボンの開発において著しい進歩をもたらした。それにもかかわらず,大規模でのグラフェンナノリボンの空間配置と整列における容易な制御はまだ限られている。本研究では,配向制御エレクトロスピニング高分子ナノワイヤエッチングマスクを用いて,グラフェンナノリボンの作製のための容易ではあるが効果的な方法を検討した。電気紡糸高分子ナノワイヤ用の受信基板上に都合よく転写されたグラフェン単分子層を調製するために,熱化学蒸着プロセスを開始した。高分子ナノワイヤは,グラフェンナノリボンのアレイを収穫するグラフェンシートの根底にある堅牢なエッチング障壁として作用する。プロセス中のパラメータ制御を変えて,電気紡糸高分子ナノワイヤのサイズ,形態,および幅を容易に操作した。O_2プラズマエッチングにより,グラフェンナノリボンの高度に整列した配列が生成し,犠牲高分子ナノワイヤは完全に除去された。グラフェンナノリボンを用いて,ボトムゲート配置で電界効果トランジスタを実装した。このようなアプローチは,再現性の高い高性能デバイスを実現するための明確な可能性で,通常のマイクロリボン戦略に関連するものよりも,Δλ≧30の比較的改良された電流オンオフ比率を現実的に得ることができた。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エッチング ,  電流 ,  FET【トランジスタ】 ,  単分子層 ,  *高分子 ,  二次元 ,  プラズマエッチング ,  ロバスト性 ,  バンドギャップ ,  エレクトロスピニング ,  *ナノワイヤ ,  ナノ材料 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *ナノリボン ,  *グラフェンナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： グラフェン ,  エレクトロスピニング ,  ナノワイヤ ,  エッチマスク ,  ナノリボン ,  トランジスタ

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (50件)：

• Yu, X.; Cheng, H.; Zhang, M.; Zhao, Y.; Qu, L.; Shi, G. Graphene-Based Smart Materials. Nat. Rev. Mater. 2017, 2, 17046.
• Bonaccorso, F.; Sun, Z.; Hasan, T.; Ferrari, A.C. Graphene photonics and optoelectronics. Nat. Photonics 2010, 4, 611-622.
• Geim, A.K.; Novoselov, K.S. The rise of graphene. Nat. Mater. 2007, 6, 183-191.
• Balandin, A.A. Thermal properties of graphene and nanostructured carbon materials. Nat. Mater. 2011, 10, 569-581.
• Hong, S.W.; Du, F.; Lan, W.; Kim, S.; Kim, H.; Rogers, J.A. Monolithic Integration of Arrays of Single-Walled Carbon Nanotubes and Sheets of Graphene. Adv. Mater. 2011, 23, 3821-3826.

タイトルに関連する用語 (3件)： 集積 ,  整列 ,  高分子