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J-GLOBAL ID：202102271445196828   整理番号：21A0697038

スパッタリング法によるHfO₂基強誘電体厚膜のシリコン基板上への室温製膜とその電気特性および圧電特性評価

Preparation of HfO₂-based ferroelectric thick films at room temperature by the sputtering method and their electrical and piezoelectric properties

著者 (5件)： 志村礼司郎 (東京工大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  舘山明紀 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.10a-Z24-5  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： [緒言]酸化ハフニウム(HfO2)は2011年に強誘電性が報告されて以来[1]、新規強誘電体材料として注目されている。一方で強誘電体HfO2は圧電性も有することから、CMOSプロセスとの親和性が高い圧電膜としても期待できる。しかしこれまでの...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  *強誘電体 ,  熱処理 ,  薄膜 ,  強誘電性 ,  ドーピング ,  *酸化ハフニウム ,  *電気特性 ,  斜方晶系 ,  薄膜成長 ,  *厚膜 ,  *スパッタ蒸着 ,  *製膜
準シソーラス用語： *圧電特性 ,  強誘電体薄膜 ,  RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (10件)： スパッタリング法 ,  HfO2 ,  強誘電体 ,  厚膜 ,  シリコン基板 ,  室温 ,  製膜 ,  電気特性 ,  圧電特性 ,  評価