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J-GLOBAL ID：202102272104144992   整理番号：21A0255977

1552nmでのフェムト秒レーザによるSi基板の裏面上の微細周期構造の形成

Formation of Fine Periodic Structures on Back Surface of Si Substrate by a Femtosecond Laser at 1552 nm

著者 (6件)： ITO Yoshiro (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  CHIAH Sin Ying (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  LUONG Khanh Phu (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  KATAOKA Daiki (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  TANABE-YAMAGISHI Rie (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  TANABE-YAMAGISHI Rie (Fukuoka Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
資料名： Journal of Laser Micro/Nanoengineering (Web)  (Journal of Laser Micro/Nanoengineering (Web))
巻： 15  号： 2  ページ： 111-117 (WEB ONLY)  発行年： 2020年09月 
JST資料番号： U0377A  ISSN： 1880-0688  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siは,バンドギャップエネルギーが1.12eVの半導体であり,これは波長1127.2nmに相当する。そのため,この波長よりも長い放射線に対しては,Siは透明であると考えられている。1552nmのフェムト秒レーザによるSi基板による微細加工が可能であることを実証した。レーザが背面に集束すると,約320nmの周期性を持つレーザ誘起周期表面構造(LIPSS)に類似した周期構造が背面表面に形成されることを見出した。表面の変化は,前面表面に損傷のない背面表面上でのみ観察された。前面表面上のLIPSSはレーザの偏光面に対して垂直方向に形成され,一方背面表面上のそれらは常に偏光に平行に形成される。LIPSSに及ぼすレーザ照射条件の影響を研究した。さらに,LIPSSは,KOH溶液によるレーザ支援背面ウェットエッチングの後,裏面に見出され,そこでは,表面は照射中に水と接触した。LSFLとHSFLの両方を形成した。いくつかの条件では,HFSLは中心部に,LSFLはレーザースキャントレースの端に形成された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  フェムト秒 ,  *レーザ加工 ,  周期構造 ,  赤外レーザ ,  *パターン形成 ,  微細構造 ,  ウェットエッチング ,  エネルギー ,  レーザ照射 ,  垂直方向 ,  半導体 ,  微細加工 ,  表面構造 ,  バンドギャップエネルギー ,  レーザ誘起 ,  シリコンウエハ ,  構造
準シソーラス用語： Si基板

分類 (2件)： レーザの応用  (BD04100V) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (41件)：

• C.Y. Chang and S.M. Sze: “ULSI Technology”, (McGraw Hill, New York, 1996)
• C. M. Waits, B. Morgan, M. Kastantin, and R. Ghodssi: Sensors and Actuators A: Physical, 119, (2005) 245.
• X. Q. Liu, L. Yu, Z. C. Ma, and Q. D. Chen: Appl. Optics, 56, (2017) 2157.
• S. Yadavali, D. Lee, and D. Issadore: Sci. Rep. 9, (2019) 12213.
• Y. Ito, R. Tanabe, and K. Tada: MRS Symp. Proc., 1365, (2011) 31.

タイトルに関連する用語 (4件)： フェムト秒レーザ ,  Si基板 ,  微細 ,  周期構造