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J-GLOBAL ID:202102280786689490   整理番号:21A0696882

グレーティング結合器集積GaN横型擬似位相整合第二高調波発生デバイス

GaN Transverse Quasi-Phase-Matched Second Harmonic Generation Device with Input Grating Coupler
著者 (7件):
資料名:
巻: 81st  ページ: ROMBUNNO.10a-Z02-2  発行年: 2020年08月26日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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窒化物半導体は強い光学非線形性を示し強励起可能であるため、高効率な波長変換デバイスへの応用が期待されている。我々はこれまでに、AINの極性を反転して積層した横型擬似位相整合(T-QPM)導波路構造によって、青色第二高調波発生(SHG)の実証...【本文一部表示】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
非線形光学  ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  ,  半導体レーザ 

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