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J-GLOBAL ID：202102282099657751   整理番号：21A0457393

HBr+O_2混合物のプラズマ中のSiとSiO_2の反応性イオンエッチングの速度論と機構【JST・京大機械翻訳】

Kinetics and Mechanisms of Reactive-Ion Etching of Si and SiO₂ in a Plasma of a Mixture of HBr + O₂

著者 (4件)： Efremov A. M. (Ivanovo State University of Chemistry and Technology, Ivanovo, Russia) ,  Efremov A. M. (Scientific Research Institute of System Analysis, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia) ,  Betelin V. B. (Scientific Research Institute of System Analysis, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia) ,  Kwon K.-H. (Korea University, Sejong, South Korea)
資料名： Russian Microelectronics  (Russian Microelectronics)
巻： 49  号： 6  ページ： 379-384  発行年： 2020年 
JST資料番号： W4926A  ISSN： 1063-7397  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高周波(13.56MHz)誘導放電の条件下で,可変初期組成を有するHBr+O_2混合物のプラズマ中のSiとSiO_2の反応性イオンエッチングの速度論と機構を研究した。プラズマパラメータの実験的および理論的(モデル)解析において,気相の定常組成を形成する重要なプラズマ化学プロセスを同定し,処理下の表面上の活性粒子フラックスの密度を決定した。プラズマ形成混合物中のO_2濃度の増加は,エッチングプロセスの不均一段階を特徴付ける速度係数(有効相互作用とエッチング収率の確率)の減少を伴うことが分かった。この効果はSiBr_xO_y型の低い揮発性化合物へのSiBr_xエッチング生成物の酸化であると仮定した。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  *プラズマ ,  放電 ,  *ケイ素 ,  HF【周波数】 ,  速度論 ,  揮発分 ,  プラズマパラメータ ,  有効相互作用 ,  気相 ,  RIE【エッチング】
準シソーラス用語： 粒子フラックス ,  プラズマ化学 ,  一酸化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 混合物 ,  プラズマ ,  Si ,  反応性イオンエッチング ,  速度論