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J-GLOBAL ID：202102284531283815   整理番号：21A0630886

陽電子を用いた超高圧焼鈍によるイオン注入GaNの欠陥回復特性の研究

Study of defect recovery processes for ion implanted GaN by means of positron annihilation spectroscopy

著者 (15件)： 上殿明良 (筑波大) ,  櫻井秀樹 (名古屋大) ,  櫻井秀樹 (名古屋大 工) ,  櫻井秀樹 (アルバック 先進研) ,  成田哲生 (豊田中研) ,  KACPER Sierakowski (Inst. High Press. Phys., Polish Acad. Sci.) ,  MICHAL Bockowski (名古屋大) ,  MICHAL Bockowski (Inst. High Press. Phys., Polish Acad. Sci.) ,  須田淳 (名古屋大) ,  須田淳 (名古屋大 工) ,  石橋章司 (産総研 CD-FMat) ,  嶋紘平 (東北大 多元物質科研) ,  秩父重英 (名古屋大) ,  秩父重英 (東北大 多元物質科研) ,  加地徹 (名古屋大)
資料名： 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)  (JCCG予稿集(CD-ROM))
巻： 49th  ページ： ROMBUNNO.09p-A19  発行年： 2020年11月09日 
JST資料番号： L6730B  ISSN： 2188-7268  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 単エネルギー陽電子ビームを用いてMg注入GaNの空孔型欠陥を調...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： Doppler効果 ,  イオン化 ,  γ線 ,  *焼なまし ,  半導体 ,  不純物 ,  *陽電子 ,  陽電子消滅 ,  窒素 ,  マグネシウム ,  ドーピング ,  スペクトル ,  クラスタ ,  カチオン ,  *窒化ガリウム

分類 (5件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 陽電子 ,  超高圧 ,  焼鈍 ,  イオン注入 ,  GaN ,  欠陥 ,  回復 ,  研究