文献

J-GLOBAL ID：202102285801109607   整理番号：21A0346205

CH_4/H_2/Arプラズマ雰囲気中でのPbSe薄膜の反応性イオンエッチング【JST・京大機械翻訳】

Reactive ion etching of PbSe thin films in CH₄/H₂/Ar plasma atmosphere

著者 (3件)： Yang Gang (Microfabrication Research and Education Center, University of Oklahoma, Norman, OK73019, USA) ,  Weng Binbin (Microfabrication Research and Education Center, University of Oklahoma, Norman, OK73019, USA) ,  Weng Binbin (School of Electrical and Computer Engineering, University of Oklahoma, Norman, OK73019, USA)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 124  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,CH_4/H_2/Arプラズマ雰囲気中のシリコン上のPbSe薄膜の反応性イオンエッチングを報告した。dc自己バイアス,エッチング速度,およびrf電力,ガス比,およびプロセス圧力を含む表面および側壁のエッチング平滑度に影響する種々のエッチングパラメータを系統的に研究した。dc自己バイアスはrf電力と近似的線形関係を持つが,プロセス圧力が増加すると減少することを見出した。エッチング速度はrf電力の増加とプロセス圧力の減少と共に増加した。さらに,エッチング速度は,CH_4パーセントが40%まで増加すると最大値まで増加し,それ以上では,ポリマーの形成によりCH_4パーセントをさらに増加させると減少する。さらに,SEMの結果は,60%のCH_4の大気でエッチングした1つを除く全てのサンプルについて,エッチングした表面は滑らかで,側壁は垂直であることを示した。60%のCH_4の雰囲気中でエッチングされた試料のエッチングされたプロフィルは非常に粗く,それはポリマーの生成に起因する。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  *プラズマ ,  重合体 ,  *薄膜 ,  半導体 ,  電力 ,  ケイ素 ,  近似法 ,  線形性 ,  *セレン化鉛 ,  *RIE【エッチング】 ,  バンドギャップ ,  平滑度
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  自己バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 反応性イオンエッチング ,  セレン化鉛 ,  狭いバンドギャップ半導体

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ar ,  プラズマ ,  雰囲気 ,  PbSe ,  薄膜 ,  反応性イオンエッチング