文献

J-GLOBAL ID：202102287998322898   整理番号：21A0298564

低周波雑音に基づく繰返し非クランプ誘導スイッチング応力下のEモードGaN高電子移動度トランジスタの電気的パラメータ劣化と回復に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Investigations on electrical parameters degradation and recovery of E-mode GaN high-electron mobility transistors under repetitive unclamped inductive switching stresses based on low-frequency noise

著者 (7件)： Xu X B (School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China) ,  Li B (School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China) ,  Chen Y Q (Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, Guangzhou 510610, People’s Republic of China) ,  Wu Z H (School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China) ,  He Z Y (Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, Guangzhou 510610, People’s Republic of China) ,  En Y F (Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, Guangzhou 510610, People’s Republic of China) ,  Huang Y (Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, Guangzhou 510610, People’s Republic of China)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 36  号： 2  ページ： 025014 (7pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アバランシェ能力や最小アバランシェ能力の間,p-GaNゲートを有するEモードAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)のサージ耐久性は完全には理解されていない。本研究は,市販のpゲートGaN HEMTの反復非クランプ誘導スイッチング(UIS)測定からの包括的な結果を明らかにする。電気的パラメータ劣化と回復特性を研究した。最初に,デバイスチャネルに作用する反復UISパルスの前後におけるGaN HEMTデバイスの出力,移動,ゲート漏れ,ゲート容量パラメータの劣化について注意深い研究を行った。低周波雑音(LFNs)の助けにより,試験結果は,デバイス特性が,閾値電圧(V_th)の増加,およびゲート漏れ電流(I_gs)の減少を含む,UISペレットの増加とともに,徐々に劣化することを示した。続いて,LFN試験をUISパルスの増加で行った。最後に,デバイスの回復特性を研究し,その物理を,DC特性とトラップ密度を含む1~15dの空気中で室温でデバイスを置いて議論した。これらの結果は,電子の電荷捕獲効果であるデバイス特性の劣化と回復の機構を確認した。反復UIS応力の後,電子は界面上にトラッピングし,デバイスのバルク層において,格子の下の電場分布を変えることができる。これらはデバイスの電気的性能に強い影響を与える。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *低周波雑音 ,  パルス ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT
準シソーラス用語： 電界分布 ,  閾値電圧 ,  トラッピング ,  電荷捕獲 ,  ゲート漏れ電流 ,  デバイス特性 ,  GaN HEMT ,  トラップ密度 ,  AlGaN/GaN ,  ゲート容量 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： 低周波雑音 ,  クランプ ,  誘導 ,  スイッチング ,  応力 ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  パラメータ ,  回復 ,  研究