School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China について
School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China について
Chen Y Q について
Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, Guangzhou 510610, People’s Republic of China について
School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China について
Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, Guangzhou 510610, People’s Republic of China について
Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, Guangzhou 510610, People’s Republic of China について
Huang Y について
Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, Guangzhou 510610, People’s Republic of China について
Semiconductor Science and Technology について
界面 について
低周波雑音 について
パルス について
窒化ガリウム について
HEMT について
電界分布 について
閾値電圧 について
トラッピング について
電荷捕獲 について
ゲート漏れ電流 について
デバイス特性 について
GaN HEMT について
トラップ密度 について
AlGaN/GaN について
ゲート容量 について
トランジスタ について
低周波雑音 について
クランプ について
誘導 について
スイッチング について
応力 について
GaN について
高電子移動度トランジスタ について
パラメータ について
回復 について
研究 について