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J-GLOBAL ID：202102288446272057   整理番号：21A0984813

300mm窒化ガリウム-on-Si(111)NMOSトランジスタとシリコンCMOS集積に関する研究の進歩【JST・京大機械翻訳】

Advances in Research on 300mm Gallium Nitride-on-Si(111) NMOS Transistor and Silicon CMOS Integration

著者 (20件)： Wui Then Han (Components Research) ,  Radosavljevic M. (Components Research) ,  Desai N. (Intel Labs) ,  Ehlert R. (Logic Technology Development) ,  Hadagali V. (Logic Technology Development) ,  Jun K. (Components Research) ,  Koirala P. (Components Research) ,  Minutillo N. (Logic Technology Development) ,  Kotlyar R. (Components Research) ,  Oni A. (CQN) ,  Qayyum M. (Logic Technology Development) ,  Rode J. (Logic Technology Development) ,  Sandford J. (Logic Technology Development) ,  Talukdar T. (Components Research) ,  Thomas N. (Components Research) ,  Vora H. (Logic Technology Development) ,  Wallace P. (Logic Technology Development) ,  Weiss M. (Intel Corporation,Advanced Design,Hillsboro,OR,USA,97124) ,  Weng X. (CQN) ,  Fischer P. (Components Research)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： IEDM  ページ： 27.3.1-27.3.4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低R_ON=330Ω-μmを達成するGaN-on-Si(111)NMOSトランジスタの実証により,300mm GaN NMOSに関する研究の進歩を論じた。高いID,max=1.7mA/μm;90VまでのBV_DS(I_D=1μA/μm)は優れたR_ON=660Ω-μm;GaN-on-Siの200/350GHzの記録f_T/f_MAX;産業の最適RFスイッチR_onC_off=55fs;最高ミリ波(28GHz)RF電力増幅器ピークPAEは65%@19.5dBm飽和電力であった。GaNとSi CMOS統合研究へのアプローチにおける課題について論じ,比較した。(a)ポリシリコンCMOS,(b)GaNとSi(111)CMOSの不均一エピタクシー,(c)ウエハ対ウエハボンディング[2],および(d)結合技術[1],[3]を用いた3DモノリシックSi(100)層移動。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  増幅器 ,  *トランジスタ ,  電力 ,  *ケイ素 ,  EHF波 ,  *窒化ガリウム ,  三次元 ,  *NMOS構造 ,  ポリシリコン ,  *CMOS
準シソーラス用語： ウエハボンディング ,  *シリコン(111) , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： 窒化ガリウム ,  Si ,  NMOS ,  トランジスタ ,  シリコン ,  CMOS ,  集積 ,  研究