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J-GLOBAL ID：202102288504661025   整理番号：21A1577528

InGaZnO/SiO_2標準薄膜トランジスタの熱電特性に及ぼすゲート電圧の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Gate Voltage on the Thermoelectric Properties of an InGaZnO/SiO₂ Standard Thin Film Transistor

著者 (4件)： FELIZCO Jenichi Clairvaux (NAIST) ,  UENUMA Mutsunori (NAIST) ,  FUJII Mami N. (NAIST) ,  URAOKA Yukiharu (NAIST)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 68th  ページ： ROMBUNNO.19p-P04-1  発行年： 2021年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

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シソーラス用語： 界面 ,...
準シソーラス用語： *ゲート電圧

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分類 (5件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  バイオアッセイ  (EA03060N) ,  固体プラズマ  (BM02160W) ,  抗原・抗体・補体一般  (ED04010A) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 標準 ,  薄膜トランジスタ ,  熱電特性 ,  ゲート電圧