特許

J-GLOBAL ID：202103000208585640

デュアル架橋ハイブリッドゲルの製造方法

発明者： 鈴木 淳史 ,  望月 亮弥 ,  長澤 尚胤
出願人/特許権者： 国立大学法人横浜国立大学 ,  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
代理人 (1件)： 特許業務法人 志賀国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-236517
公開番号（公開出願番号）：特開2021-104609
出願日： 2019年12月26日
公開日（公表日）： 2021年07月26日
要約：

【課題】化学架橋点が導入されたハイブリッドゲルである、デュアル架橋ハイブリッドゲルの製造方法を提供する。【解決手段】ポリビニルアルコールからなる凍結解凍ゲルの表面に、ポリビニルアルコールからなるキャストドライゲルが積層されたハイブリッドゲルを準備し、前記ハイブリッドゲルに対してガンマ線又は電子線を照射することにより、前記ハイブリッドゲルを構成する物理架橋ネットワーク内に化学架橋点を形成したデュアル架橋ハイブリッドゲルを得る、デュアル架橋ハイブリッドゲルの製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ポリビニルアルコールからなる凍結解凍ゲルの表面に、ポリビニルアルコールからなるキャストドライゲルが積層されたハイブリッドゲルを準備し、 前記ハイブリッドゲルに対してガンマ線又は電子線を照射することにより、前記ハイブリッドゲルを構成する物理架橋ネットワーク内に化学架橋点を形成したデュアル架橋ハイブリッドゲルを得る、デュアル架橋ハイブリッドゲルの製造方法。

IPC (7件)：

B32B 27/30 ,  C08J 3/075 ,  C08J 3/24 ,  C08L 29/04 ,  A61L 27/18 ,  A61L 27/40 ,  A61L 27/50

FI (7件)：

B32B27/30 102 ,  C08J3/075 ,  C08J3/24 Z ,  C08L29/04 ,  A61L27/18 ,  A61L27/40 ,  A61L27/50

Fターム (35件)：

4C081AB02 ,  4C081BB08 ,  4C081CA051 ,  4C081CA052 ,  4C081DA12 ,  4C081DC02 ,  4C081EA14 ,  4F070AA26 ,  4F070AB13 ,  4F070AC12 ,  4F070CA11 ,  4F070CB02 ,  4F070GA04 ,  4F070GB01 ,  4F070GC08 ,  4F070HA03 ,  4F070HA04 ,  4F070HB01 ,  4F070HB11 ,  4F100AK21A ,  4F100AK21B ,  4F100BA02 ,  4F100EJ053 ,  4F100EJ50A ,  4F100EJ533 ,  4F100EJ82A ,  4F100EJ82B ,  4F100GB66 ,  4F100JK16B ,  4F100JM01A ,  4F100JM01B ,  4J002BE02W ,  4J002BE02X ,  4J002GB01 ,  4J002GF00