特許
J-GLOBAL ID：202103000337370005

IGBTパワーデバイス

発明者：
劉偉

劉偉 について

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袁願林

袁願林 について

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劉磊

劉磊 について

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王睿

王睿 について

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▲ごん▼軼

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出願人/特許権者：
蘇州東微半導体有限公司

蘇州東微半導体有限公司 について


代理人 (1件)： 特許業務法人ナガトアンドパートナーズ
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-509053
特許番号：特許第6947915号
出願日： 2018年10月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBTパワーデバイスであって、 バイポーラトランジスタと、第1の金属酸化物半導体MOSトランジスタと、第2のMOSトランジスタと、ボディダイオードと、ボディコンタクトダイオードとを含み、前記ボディコンタクトダイオードの陽極は前記ボディダイオードの陽極に接続され、 前記第1のMOSトランジスタのドレインは前記バイポーラトランジスタのベースに接続され、前記第2のMOSトランジスタのドレイン、前記ボディダイオードの陰極及び前記バイポーラトランジスタのエミッタの間は互いに接続され、且ついずれも前記IGBTパワーデバイスのコレクタ電圧に接続され、 前記第1のMOSトランジスタの第1のゲートは前記IGBTパワーデバイスのゲート電圧に外部接続され、 前記バイポーラトランジスタのコレクタ、前記第1のMOSトランジスタのソース、前記第2のMOSトランジスタのソース、前記第2のMOSトランジスタの第2のゲート及び前記ボディコンタクトダイオードの陰極の間は互いに接続され、且ついずれも前記IGBTパワーデバイスのエミッタ電圧に接続されている、絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBTパワーデバイス。
IPC (6件)：
H01L 29/739 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 29/41 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01)
FI (12件)：
H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/06 301 F ,  H01L 29/06 301 V ,  H01L 29/44 Y ,  H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 D ,  H01L 29/78 656 A ,  H01L 29/78 657 D ,  H01L 29/91 C ,  H01L 29/91 L
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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