特許
J-GLOBAL ID：201603005042078630

縦型MOSFET

発明者：
上野 勝典

上野 勝典 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-046866
公開番号（公開出願番号）：特開2016-167537
出願日： 2015年03月10日
公開日（公表日）： 2016年09月15日
要約：
【課題】第1導電型ウェルと第2導電型のドリフト層との間におけるpn接合の寄生ダイオードが動作すると、順電流が流れてバンドギャップエネルギー相当の光が発生する。そこで、寄生ダイオードを動作させない。【解決手段】縦型MOSFETであって、表面側に第1導電型ウェルを有する第2導電型の半導体基板と、第1導電型ウェルよりも表面側に設けられたソース電極と、第1導電型ウェルとソース電極との間に電気的に接続され、第2導電型の半導体基板と第1導電型ウェルとが形成する第1の寄生ダイオードとは逆向きである、追加ダイオードとを備える縦型MOSFETを提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
縦型MOSFETであって、 表面側に第1導電型ウェルを有する第2導電型の半導体基板と、 前記第1導電型ウェルよりも前記表面側に設けられたソース電極と、 前記第1導電型ウェルと前記ソース電極との間に電気的に接続され、第2導電型の前記半導体基板と前記第1導電型ウェルとが形成する第1の寄生ダイオードとは逆向きである、追加ダイオードと を備える 縦型MOSFET。
IPC (7件)：
H01L 27/04 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47
FI (8件)：
H01L29/78 657A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652H ,  H01L27/06 102A ,  H01L29/86 301F ,  H01L29/48 F
Fターム (21件)：
4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  5F048AA07 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA07 ,  5F048BA14 ,  5F048BB19 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF18 ,  5F048CB07
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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