特許
J-GLOBAL ID：202103000397242537

テクスチャ形成されたイリジウム底部電極を有する酸化ハフニウムおよび酸化ジルコニウムベースの強誘電性デバイス

発明者：
フランク、マーティン、ミカエル

フランク、マーティン、ミカエル について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (3件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  特許業務法人エム・アイ・ピー
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-526418
公開番号（公開出願番号）：特表2021-503717
出願日： 2018年11月05日
公開日（公表日）： 2021年02月12日
要約：
強誘電性/反強誘電性(FE/AFE)誘電層を形成する方法が提供される。この方法は、基板上に金属電極層を形成するステップであって、この金属電極層は少なくとも80%の{111}結晶面を有する露出表面を有する、ステップと、金属電極層の露出表面上にFE/AFE誘電層を形成するステップであって、このFE/AFE誘電層は、4族遷移金属酸化物である、ステップとを含む。
請求項（抜粋）：
強誘電性/反強誘電性(FE/AFE)誘電層を形成する方法であって、 基板上に金属電極層を形成するステップであって、前記金属電極層は、少なくとも80%の{111}結晶面を有する露出表面を有する、前記金属電極層を形成するステップと、 前記金属電極層の前記露出表面上にFE/AFE誘電層を形成するステップであって、前記FE/AFE誘電層は、4族遷移金属酸化物である、前記FE/AFE誘電層を形成するステップと を含む、方法。
IPC (2件)：
H01L 27/115 ,  H01L 21/316
FI (3件)：
H01L27/11507 ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 U
Fターム (27件)：
5F058BA11 ,  5F058BB05 ,  5F058BC03 ,  5F058BD01 ,  5F058BD03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF02 ,  5F058BF06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF37 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F083FR02 ,  5F083GA01 ,  5F083GA09 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083JA12 ,  5F083JA32 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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