高次アセン誘導体の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人京都国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-231276
公開番号（公開出願番号）：特開2018-087166
特許番号：特許第6876320号
出願日： 2016年11月29日
公開日（公表日）： 2018年06月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 a) 7,16-ヘプタセンキノンに、ディールス・アルダー反応によりアセチレンジカルボン酸ジメチル(DMAD)を架橋付加し、 b) 脱炭酸反応により架橋部のエステル基を除去し、 c) 還元反応によりキノンの酸素を除去して同位にブロモ基を付加し、 d) 酸化反応により架橋部に酸素を付加し、7,16-ジブロモ-5,9,14,18-テトラヒドロ-5,18:9,14-ビスエタノヘプタセン-19,20,21,22-テトラケトンを形成する、という工程を含み、酸化反応により架橋部に酸素を付加する工程が、該架橋部をヒドロキシル化処理し、さらに、酸化処理することである、高次アセン誘導体の製造方法。

IPC (2件)：