特許

J-GLOBAL ID：201403063035674168

グラフェン膜、電子装置、及び電子装置の製造方法

発明者： 山口 淳一 ,  佐藤 信太郎 ,  山田 容子 ,  田中 和樹
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-096591
公開番号（公開出願番号）：特開2014-218386
出願日： 2013年05月01日
公開日（公表日）： 2014年11月20日
要約：

【課題】転写法を用いることなく、幅が所望値に揃ったアームチェア型のエッジ構造を有し、所期のバンドギャップを示す実用上十分な105以上の電流オン/オフ比が実現する信頼性の高いグラフェン膜を提供する。【解決手段】GNR3は、リボン形状のグラフェン膜であって、短手方向に炭素原子の六員環が5個以上(例えば5個、7個、或いは9個)結合して並列しており、長手方向に沿ったエッジ構造が完全なアームチェア型とされている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

リボン形状のグラフェン膜であって、 短手方向に炭素原子の六員環が5個以上結合して並列しており、長手方向に沿ったエッジ構造がアームチェア型とされていることを特徴とするグラフェン膜。

IPC (1件)：

C01B 31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101Z

Fターム (13件)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AB08 ,  4G146AC19B ,  4G146AD30 ,  4G146BA11 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC03 ,  4G146BC15 ,  4G146BC27 ,  4G146BC32B ,  4G146BC43

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 配線構造体、半導体装置および配線構造体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-235614   出願人：富士通株式会社

引用文献：

審査官引用 (4件)

• The Effective Mass, Band Gap, Device Characteristics, and Performance Considerations for AGNR and AG
• Controllable spin-dependent transport in armchair graphene nanoribbon structures
• Electronic Structure and Stability of Semiconducting Graphene Nanoribbons
• Graphene and graphite nanoribbons: Morphology, properties, synthesis, defects and applications