特許
J-GLOBAL ID:202103001842343957
π共役系ホウ素化合物、π共役系ホウ素化合物の製造方法および電子装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2019-149079
公開番号(公開出願番号):特開2021-031391
出願日: 2019年08月15日
公開日(公表日): 2021年03月01日
要約:
【課題】新規なπ共役系ホウ素化合物、および、このπ共役系ホウ素化合物を適用した電子装置を提供する。【解決手段】電子装置EDは、第1電極EL1と、第2電極EL2と、第1電極EL1と第2電極EL2との間に配置された活性層(電荷輸送層)ALと、を有する。活性層ALは、ドナー材料DOとアクセプター材料ACとが混合された層であり、アクセプター材料ACとして、ジアリールボリルエチニル基で置換されたアセン置換体からなるπ共役系ホウ素化合物を用いる。このπ共役系ホウ素化合物は、平面形状で分子間相互作用に有利なπ電子系を有するアセンにおいて、アクセプター性を有する新規なπ共役系ホウ素化合物である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ジアリールボリルエチニル基で置換されたアセン置換体からなるπ共役系ホウ素化合物。
IPC (3件):
C07F 5/02
, H01L 51/50
, H01L 51/46
FI (4件):
C07F5/02 A
, H05B33/14 A
, H05B33/22 B
, H01L31/04 154E
Fターム (13件):
3K107AA01
, 3K107DD75
, 3K107DD78
, 4H048AA01
, 4H048AA02
, 4H048AA03
, 4H048AB92
, 4H048AC90
, 4H048VA75
, 4H048VB10
, 5F151AA11
, 5F151FA04
, 5F151FA06
引用特許:
引用文献:
審査官引用 (5件)
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