特許
J-GLOBAL ID：202103003560454597

半導体ウェハの評価方法

発明者：
増田 竜也

増田 竜也 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (5件)： 及川 周 ,  荒 則彦 ,  勝俣 智夫 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-242565
公開番号（公開出願番号）：特開2018-098394
特許番号：特許第6820191号
出願日： 2016年12月14日
公開日（公表日）： 2018年06月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体ウェハの表面に水銀を接触させて、前記半導体ウェハの電気的特性を評価する半導体ウェハの評価方法であって、 前記半導体ウェハと前記水銀との接触面の面積に対して0.5%以上の面積を有する凸状又は凹状の所定の欠陥を特定し、前記所定の欠陥の位置座標を測定する座標測定工程と、 前記座標測定工程で特定された前記所定の欠陥の位置座標と、予定されていたプローブ設置箇所の位置座標が重なる場合、前記所定の欠陥の位置座標を避けてプローブを設置するプローブ設置工程と、 前記プローブから供給される前記水銀と前記半導体ウェハを接触させて電気的特性を測定する電気的特性測定工程と、を有する半導体ウェハの評価方法。
IPC (2件)：
H01L 21/66 ( 200 6.01) ,  G01N 21/956 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 21/66 B ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 L ,  G01N 21/956 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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