特許
J-GLOBAL ID：202103003568060822

ウェーハの加工方法

発明者：
山田 成珠

山田 成珠 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (3件)： 松本 昂 ,  岡本 知広 ,  笠原 崇廣
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-239244
公開番号（公開出願番号）：特開2018-098285
特許番号：特許第6837712号
出願日： 2016年12月09日
公開日（公表日）： 2018年06月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 交差する複数のストリートで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有し、外周に面取り部が形成されたウェーハの加工方法であって、 ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点をウェーハの内部に位置付け、該ストリートに沿ってウェーハに該レーザビームを照射してウェーハ内部に該ストリートに沿った改質層を形成するレーザビーム照射ステップと、 該ストリートの延長線上の少なくとも該面取り部を切削ブレードで切削して切削溝を形成する切削ステップと、 該レーザビーム照射ステップ及び該切削ステップを実施した後、ウェーハに外力を付与して該改質層及び該切削溝を分割起点にウェーハを個々のチップへと分割する分割ステップと、 を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法。
IPC (6件)：
H01L 21/301 ( 200 6.01) ,  B23K 26/53 ( 201 4.01) ,  B24B 19/02 ( 200 6.01) ,  H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  B28D 5/00 ( 200 6.01) ,  B26F 3/02 ( 200 6.01)
FI (8件)：
H01L 21/78 V ,  H01L 21/78 B ,  H01L 21/78 F ,  B23K 26/53 ,  B24B 19/02 ,  H01L 21/304 601 Z ,  B28D 5/00 Z ,  B26F 3/02
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • ウェハーの加工方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-050236   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • 改質層形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-113573   出願人：株式会社ディスコ
審査官引用 (2件)
  • ウェハーの加工方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-050236   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • 改質層形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-113573   出願人：株式会社ディスコ

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